申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2023-07-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748901A

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;H03K17/082;H03K17/687;H02M1/088;H02M1/32

优先权：["20220921 US 17/933,935"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种驱动器、功率转换器及用于保护氮化镓GaN晶体管的方法。该驱动器包括电压调节器和高侧驱动器。该电压调节器在其第一端子和第二端子之间提供启动电压，该启动电压在GaN晶体管的整个活动时间内在所述GaN晶体管的导通电压以及所述GaN晶体管的栅极和源极之间的安全电压限值之间的范围内变化。该高侧驱动器具有用于接收高侧驱动信号的输入端、用于耦接到所述GaN晶体管的所述栅极的输出端、耦接到所述电压调节器的所述第一端子的电源端子，和用于耦接到所述电压调节器的所述第二端子的接地端子。

主权项：1.一种驱动器，适合与氮化镓GaN功率级一起使用的，其特征在于，所述驱动器包括：电压调节器，所述电压调节器用于在所述电压调节器的第一端子和第二端子之间提供启动电压，所述启动电压在GaN晶体管的整个活动时间内在所述GaN晶体管的导通电压与所述GaN晶体管的栅极和源极之间的安全电压限值之间的范围内变化；和高侧驱动器，所述高侧驱动器具有用于接收高侧驱动信号的输入端、用于耦接到所述GaN晶体管的所述栅极的输出端、耦接到所述电压调节器的所述第一端子的电源端子，和用于耦接到所述电压调节器的所述第二端子的接地端子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 驱动器、功率转换器及保护氮化镓晶体管的方法

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