申请/专利权人：天津市滨海新区微电子研究院

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737690A

主分类号：C23C16/34

分类号：C23C16/34;C23C16/455

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及III族氮化物半导体薄膜材料技术领域，公开了一种基于预沉积技术的AlN薄膜的制备方法及AlN薄膜，AlN薄膜包括衬底、AlN成核层和AlN单晶薄膜层，其制备方法包括以下步骤：首先低温下低功率远程等离子体处理衬底表面；然后衬底升温至中温，采用原子层沉积法预铺设AIN成核层；最后高温下采用金属有机化学气相沉积法外延生长AlN单晶薄膜层。本发明利用ALD独有的自限制逐层生长模式，充分发挥其良好的薄膜生长质量与保形性的优势，有效解决MOCVD采用缓冲层过渡方式生长AlN难度大、质量差问题，提升大失配异质外延的质量；MOCVD高温生长AlN单晶薄膜层之前的升温和温度稳定的过程，可以为预铺设的AlN成核层起到退火作用，提高成核层的致密度和晶体质量。

主权项：1.一种基于预沉积技术的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先低温下低功率远程等离子体处理衬底表面；然后将衬底升温至中温，在所述衬底表面采用原子层沉积法预铺设AIN成核层；最后高温下采用金属有机化学气相沉积法在AIN成核层外延生长AlN单晶薄膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津市滨海新区微电子研究院 一种基于预沉积技术的AlN薄膜的制备方法及AlN薄膜

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD