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【发明公布】一种用于激光切割AlN陶瓷基板的黑边清洗方法_浙江大学绍兴研究院_202311582851.7 

申请/专利权人:浙江大学绍兴研究院

申请日:2023-11-24

公开(公告)日:2024-03-15

公开(公告)号:CN117696514A

主分类号:B08B3/08

分类号:B08B3/08;B08B3/12;B08B3/10

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要:本发明公开了一种用于激光切割AlN陶瓷基板的黑边清洗方法,用于清洗激光切割后AlN陶瓷基板产生的黑边,包括步骤S1:将激光切割后的AlN陶瓷基板完全浸泡在预设浓度的氢氧化钾溶液中,并且根据氢氧化钾溶液的预设浓度设置匹配的第一浸泡时间。本发明公开的一种用于激光切割AlN陶瓷基板的黑边清洗方法,在清洗过程中采用碱性溶液、有机溶剂和超纯水对AlN陶瓷基板进行大批量清洗,能够有效的去除附着于AlN陶瓷边缘的Al单质黑边,且步骤简单方便,清洗效果理想,而且不会对AlN陶瓷表面造成损伤,清洗后的AlN陶瓷基板完全满足正常工艺的要求,达到清洗效果。

主权项:1.一种用于激光切割AlN陶瓷基板的黑边清洗方法,用于清洗激光切割后AlN陶瓷基板产生的黑边,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:将激光切割后的AlN陶瓷基板完全浸泡在预设浓度的氢氧化钾溶液中,并且根据氢氧化钾溶液的预设浓度设置匹配的第一浸泡时间;步骤S2:AlN陶瓷基板放置在氢氧化钾溶液中不取出,同时进行超声清洗并且设置与氢氧化钾溶液的预设浓度匹配的第一超声时间,使外层已经和氢氧化钾反应的黑边脱落;步骤S3:AlN陶瓷基板继续在氢氧化钾溶液中浸泡并且设置对应的第二浸泡时间,同时对氢氧化钾溶液进行水浴加热至50℃;步骤S4:AlN陶瓷基板放置在氢氧化钾溶液中不取出,同时进行第二次超声清洗并且设置对应的第二超声时间;步骤S5:若部分陶瓷基板棱角处有黑线或黑点残留,则继续在氢氧化钾溶液中超声清洗直至完全清洗干净;步骤S6:使用超纯水冲洗AlN陶瓷基板,从而完全去除表面残留清洗液;步骤S7:将AlN陶瓷基板浸泡在无水乙醇中并超声清洗第三超声时间;步骤S8:使用气枪吹去AlN陶瓷基板表面多余的溶液,然后自然晾干。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江大学绍兴研究院 一种用于激光切割AlN陶瓷基板的黑边清洗方法

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