申请/专利权人：晶能光电股份有限公司

申请日：2019-12-31

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111106171B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.04.14#著录事项变更;2020.10.27#实质审查的生效;2020.05.05#公开

摘要：本发明提供了一种AlN势垒层、AlNGaNHEMT外延结构及其生长方法，其中，AlNGaNHEMT外延结构从下到上依次包括：生长衬底、位错过滤层、应力控制层、GaN薄层及AlN势垒层，其中，所述AlN势垒层中掺杂饵。由于铒的原子半径比Al大，稀土元素铒掺入AlN势垒层后，会在AlN材料中产生晶格畸变从而提高AlN势垒层的压电性能；另外，由于铒的电负性小，增加了AlN势垒层中的离子键比例，进一步增强了稀土掺杂AlN势垒层的压电系数和极化效应，使得掺铒的AlN势垒层厚度减薄后仍然可以获得高面密度的二维电子气。

主权项：1.一种AlNGaNHEMT外延结构中的AlN势垒层，其特征在于，以GaN为沟道层，所述AlN势垒层中掺杂铒。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶能光电股份有限公司 AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法

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