申请/专利权人：天津鑫钰半导体设备有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747391A

主分类号：H01J37/244

分类号：H01J37/244;H01J37/317

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种离子注入剂量控制方法，属于半导体离子注入工艺技术领域，所使用的离子注入机的离子束的截面呈条形且长度方向为水平；方法包括有如下步骤：步骤S1，确定离子注入参数；步骤S2，完成一次晶圆扫描；步骤S3，在完成一次晶圆扫描后，扫描头完全位于离子束的上方或者下方，且离子束完整地射入剂量法拉第杯，剂量法拉第杯测量一次离子束流强；步骤S4，根据步骤S3测得的离子束流强对后续离子注入过程的离子注入参数进行校正；步骤S5，按步骤S4确定的离子注入参数再进行一次晶圆扫描，然后重复步骤S3至步骤S5直到完成设定剂量的离子注入。本方案实现了精度更高的离子注入剂量控制，以更好地满足高质量先进半导体制程的要求。

主权项：1.一种离子注入剂量控制方法，其特征在于，所使用的离子注入机具有工艺腔，工艺腔的一侧连接有用于输出条形带状离子束的离子束发生装置，离子束的截面呈条形且长度方向为水平，工艺腔的另一侧设置有用于接收并检测离子束的剂量法拉第杯；工艺腔内设置有扫描机器人，扫描机器人的末端为用于固持晶圆并上下移动扫描的扫描头；所述的离子注入剂量控制方法包括有如下步骤：步骤S1，确定离子注入参数；离子注入参数至少包括有离子束流强、扫描速度和扫描次数；步骤S2，固持有晶圆的扫描头向上或者向下运动一次，完成一次晶圆扫描；步骤S3，在完成一次晶圆扫描后，扫描头完全位于离子束的上方或者下方，且离子束完整地射入剂量法拉第杯，剂量法拉第杯测量一次离子束流强；步骤S4，根据步骤S3测得的离子束流强对后续离子注入过程的离子注入参数进行校正；步骤S5，按步骤S4确定的离子注入参数再进行一次晶圆扫描，然后重复步骤S3至步骤S5直到完成设定剂量的离子注入。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津鑫钰半导体设备有限公司 一种离子注入剂量控制方法

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