申请/专利权人：业泓科技(成都)有限公司;业泓科技股份有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117741681A

主分类号：G01S17/10

分类号：G01S17/10;G01S7/481

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及飞时测距技术领域，提供一种改善dTOF元件的结构及其制作方法，该结构包括：基板；传感晶片，传感晶片堆叠设置于基板上，传感器上设有至少一接收器；发射器，发射器堆叠设置于基板上；第一点胶，第一点胶堆叠围绕设置于其中接收器的外围或第一点胶堆叠围绕设置于传感晶片上远离基板的表面外围；胶层，胶层沿着垂直方向堆叠覆盖基板、传感晶片、发射器及第一点胶。本申请发射器所发射的光线经由胶层及外部进行传输，通过第一点胶将发射器通过胶层进行传输的光线进行遮蔽、吸收或衰减，使发射器发射的光线经由胶层传输导致多个接收器产生不必要的噪声波降至最低，使本申请改善工艺化产生噪声波所导致短距离侦测的异常情况。

主权项：1.一种改善dTOF元件的结构，其特征在于，包括：基板；传感晶片，所述传感晶片堆叠设置于所述基板上，所述传感晶片上远离所述基板的表面设有至少一接收器；发射器，所述发射器堆叠设置于所述基板上；第一点胶，所述第一点胶堆叠围绕设置于其中一所述接收器的外围或所述第一点胶堆叠围绕设置于所述传感晶片上远离所述基板的表面外围；胶层，所述胶层沿着垂直方向堆叠覆盖所述基板、所述传感晶片、所述发射器及所述第一点胶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 业泓科技(成都)有限公司;业泓科技股份有限公司 改善dTOF元件的结构及其制作方法

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