申请/专利权人：大庆溢泰半导体材料有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737825A

主分类号：C30B11/00

分类号：C30B11/00;C30B29/40;C30B11/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种四英寸锑化镓单晶生长炉，涉及单晶生长技术领域，包括生长区和化料区，两个区域使用不同的温场、不同的坩埚，多晶料先在化料区融化，融化的多晶料及覆盖剂会缓慢的流入下部生长区的坩埚内，通过测温点能够了解物料是否全部流入生长区，待纵向温梯和生长区坩埚调整合适后，进行单晶生长。单晶生长结束以后，可以打开生长区，化料区无需打开，避免高温热损失，直接向化料区加热多晶物料和覆盖剂即可进入下一个化料进程中去。在生长区的下石墨保温套筒和多温区石墨加热器下端设置旋转装置，在多晶生长过程中，通过旋转装置驱动下石墨保温套筒和多温区石墨加热器转动，确保横向温场均匀。

主权项：1.一种四英寸锑化镓单晶生长炉，其特征在于：包括化料区、生长区和底座（22），化料区位于生长区的上方，底座（22）位于生长区的下方；化料区包括上水套外壳（2）、上石墨保温套筒（3）、上石墨加热器（4）、石英坩埚（5）和上升降旋转器（1），上石墨保温套筒（3）位于上水套外壳（2）内，上石墨加热器（4）位于上石墨保温套筒（3）内，石英坩埚（5）位于上石墨加热器（4）内，石英坩埚（5）的下端带有出料口，上升降旋转器（1）的下端固接有用于封闭石英坩埚（5）的出料口的封板（7）；生长区包括下水套外壳（15）、下石墨保温套筒（16）、多温区石墨加热器（17）、石英料管（18）、氮化硼坩埚（19）、石墨料托（20）和下升降旋转器（21），下石墨保温套筒（16）位于下水套外壳（15）内，多温区石墨加热器（17）位于下石墨保温套筒（16）内，石英料管（18）位于多温区石墨加热器（17）内，氮化硼坩埚（19）位于石英料管（18）内，石墨料托（20）位于石英料管（18）的下方用于承托石英料管（18），石墨料托（20）坐放于下升降旋转器（21）的上端并跟随下升降旋转器（21）发生轴向移动和周向转动；石英料管（18）的上方带有封帽（29），封帽（29）的上端面为凹面，封帽（29）的中央带有漏料口，所述的封板（7）可以封堵封帽（29）的漏料口；石英坩埚（5）的出料口位于氮化硼坩埚（19）的上方；所述的多温区石墨加热器（17）和下石墨保温套筒（16）的下方设置有同时驱动多温区石墨加热器（17）和下石墨保温套筒（16）转动的旋转装置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大庆溢泰半导体材料有限公司 一种四英寸锑化镓单晶生长炉

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD