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【发明公布】低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组_锐石创芯(深圳)科技股份有限公司_202311853154.0 

申请/专利权人:锐石创芯(深圳)科技股份有限公司

申请日:2023-12-29

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117749107A

主分类号:H03F1/26

分类号:H03F1/26;H03F3/189

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本申请公开了一种低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组,其中低噪声放大电路包括放大晶体管和偏置晶体管,放大晶体管包括沿第一方向排列的第一放大单元和第二放大单元,第一放大单元为常通单元,第二放大单元用于根据对应的增益档位控制信号导通;偏置晶体管与放大晶体管连接,并且,偏置晶体管包括第一偏置单元和第二偏置单元,第一偏置单元和第二偏置单元沿第一方向布设在第一放大单元的两侧,其中,第一偏置单元或第二偏置单元设置在第一放大单元与第二放大单元之间。通过将偏置晶体管拆分为至少两个偏置单元,使偏置晶体管与放大晶体管因工艺偏差对增益的影响互相抵消,从而提升低噪声放大电路的增益准确性。

主权项:1.一种低噪声放大电路,其特征在于,包括:放大晶体管,所述放大晶体管包括第一放大单元;偏置晶体管,与所述放大晶体管连接,并且,所述偏置晶体管包括第一偏置单元和第二偏置单元,所述第一偏置单元临近于所述第一放大单元的一侧设置;所述第二偏置单元与所述第一偏置单元间隔设置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 低噪声放大电路、射频芯片及射频前端模组

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