申请/专利权人：重庆邮电大学

申请日：2023-12-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747649A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种可独立设计FWD的RC‑LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。该RC‑LIGBT器件包括LIGBT区域和反向续流区域，反向续流区域包括可独立安装于该区域的反向续流部分，所述反向续流部分被配置为pin二极管续流部分、MPS续流部分或MOSChannelDiode续流部分。本发明的LIGBT器件正向导通时由于没有传统RC‑LIGBT的集电区N+部分，从根本上抑制了负阻效应的产生，并且无闩锁效应；并且反向导通时，当VECVth时，可独立设计的续流二极管部分开启，为期间提供反向电流；并且此IGBT反向导通部分可以独立设计来得到不同的反向性能和特征而不影响器件的正向性能。

主权项：1.一种可独立设计FWD的RC-LIGBT器件，其特征在于：所述RC-LIGBT器件包括LIGBT区域和反向续流区域，所述反向续流区域包括可独立安装于该区域的反向续流部分，所述反向续流部分被配置为pin二极管续流部分、MPS续流部分或MOSChannelDiode续流部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆邮电大学 一种可独立设计FWD的RC-LIGBT器件

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