申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750764A

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B69/00;H01L29/51

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种存储器及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成隧穿介质层；在所述隧穿介质层上形成浮栅；在所述浮栅上形成薄膜介质层，所述薄膜介质层的材料包括氧化铝，所述氧化铝的形成工艺所采用的氧化剂含有氢原子；在所述复合介质层上形成控制栅；分别在所述控制栅两侧的衬底内形成源区和漏区。所述存储器及其形成方法降低了浮栅内的电子溢出速率，延长了电子保持寿命，改善了存储器的数据保持能力。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的隧穿介质层；位于所述隧穿介质层上的浮栅；位于所述浮栅上的薄膜介质层，所述薄膜介质层的材料包括氧化铝，所述氧化铝材料中含有氢原子；位于所述薄膜介质层上的控制栅；分别位于所述控制栅两侧的衬底内的源区和漏区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 存储器及其形成方法

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