申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737660A

主分类号：C23C14/24

分类号：C23C14/24;C23C14/06;C23C14/58

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种单源蒸镀Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M闪烁体厚膜的方法，其步骤为：制备单源蒸镀用Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M前驱体粉末；以Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M前驱体粉末作为单源蒸镀粉末，进行物理气相沉积，得到Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M厚膜；在氮气或氩气气氛下退火，退火完成后，得到Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M闪烁体厚膜。该方法可获得不同目标厚度和大小的Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M闪烁体厚膜，制备方法简单，易于进行不同掺杂元素和掺杂比例的闪烁体厚膜制备。

主权项：1.一种单源蒸镀Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M闪烁体厚膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，制备单源蒸镀用Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M前驱体粉末；步骤2，以Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M前驱体粉末作为单源蒸镀粉末，进行物理气相沉积，得到Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M厚膜；步骤3，在氮气或氩气气氛下退火，退火完成后，得到Cs3Cu2I5或Cs3Cu2I5:M闪烁体厚膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 一种单源蒸镀Cs₃Cu₂I₅或Cs₃Cu₂I₅:M闪烁体厚膜的方法

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