申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117890745A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于闪烁噪声的预测半导体器件寿命的方法，涉及半导体器件技术领域。本发明通过数据采集模块测量半导体器件在经历恒定电学应力加速退化后的闪烁噪声和半导体器件初始的闪烁噪声功率谱密度PSD，特征提取模块提取特征频率下的PSD幅值，数据分析模块结合半导体器件的闪烁噪声PSD幅值的退化程度与相应的电学应力条件下的时间关系来建立函数模型，通过数学模型来分析半导体器件的闪烁噪声随时间的退化趋势，最后寿命预测模块根据器件闪烁噪声退化模型实时线性外推计算出器件在不同工作电压下的寿命。本发明通过实际简单的验证分析得出，基于半导体器件的闪烁噪声性能退化的预测方式能够更加快速的预测半导体器件寿命。

主权项：1.一种基于闪烁噪声的预测半导体器件寿命的方法，其特征在于，包括以下步骤：1采集待测半导体器件在初始状态下、以检测电压检测所得的闪烁噪声功率谱密度；2将同一种待测半导体器件的不同个体在经历至少三个不同电学应力电压、不同应力时间后，以检测电压检测所得的闪烁噪声功率谱密度；3根据步骤1和2所得数据建立半导体器件闪烁噪声退化模型：ΔSIdId2＝AVovαtβ；其中，SId表示闪烁噪声功率谱密度，Id表示检测电压下的电流值，SIdId2表示归一化的闪烁噪声功率谱密度，Δ表示步骤2与步骤1所得的闪烁噪声功率谱密度在归一化后的差值，Vov表示步骤2中的电学应力电压，t表示步骤2中的应力时间，A、α、β为三个常数；4根据步骤3所得模型，计算获得待测半导体器件在特定工作电压下的寿命，其中步骤1和步骤2中的检测电压与检测时当前待测半导体器件的开启电压的差值保持恒定。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种基于闪烁噪声的预测半导体器件寿命的方法

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