申请/专利权人：河北同光半导体股份有限公司

申请日：2024-02-02

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737858A

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;C30B23/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法，属于晶体生长技术领域。该生长装置，包括：籽晶固定件、籽晶、石墨坩埚、感应线圈、保温组件和耐腐蚀过滤组件；SiC粉料置于石墨坩埚底部；耐腐蚀过滤组件置于石墨坩埚内，并置于SiC粉料上方；耐腐蚀过滤组件为平顶金字塔结构，包括多层微孔TiC环和设置于顶层的微孔TiC板；其中，下层微孔TiC环内径和外径大于上层，且下层微孔TiC环内径小于或等于上层外径；微孔TiC环和微孔TiC板经碳化工艺碳化处理获得。本申请平顶金字塔状的耐腐蚀过滤组件能够实现料区向上输运气态组分中C颗粒的完全过滤，同时，实现调控气态SiC组分的输运方向，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘。

主权项：1.一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置，包括：籽晶固定件、籽晶、石墨坩埚、感应线圈和保温组件；其特征在于，还包括：耐腐蚀过滤组件；SiC粉料置于所述石墨坩埚底部；所述耐腐蚀过滤组件置于所述石墨坩埚内，并置于所述SiC粉料上方；所述耐腐蚀过滤组件为平顶金字塔结构，包括多层微孔TiC环和设置于顶层的微孔TiC板；其中，下层微孔TiC环内径和外径大于上层微孔TiC环，且下层微孔TiC环内径小于或等于上层微孔TiC环的外径；所述微孔TiC环和所述微孔TiC板经碳化工艺碳化处理获得。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河北同光半导体股份有限公司 一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法

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