申请/专利权人：北京大学

申请日：2024-02-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747455A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L23/488;H01L21/027

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供一种基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构，涉及电子制造领域，包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对掩膜层进行曝光处理，在掩膜层形成多个贯穿掩膜层的通孔，并在通孔内填充第一金属；去除掩膜层，对晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，微凸点的直径小于或等于2μm；在微凸点的间隙中形成绝缘层，得到微凸点基板。本申请通过激光处理工艺对掩膜层进行处理，可以在掩膜层上形成直径更小、厚度更大的通孔，基于激光处理工艺形成的通孔可以制备得到具有直径小于2微米的微凸点的基板。

主权项：1.一种基于激光加工的微凸点基板制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成掩膜层，基于激光处理工艺对所述掩膜层进行曝光处理，在所述掩膜层形成多个贯穿所述掩膜层的通孔，并在所述通孔内填充第一金属；去除所述掩膜层，对所述晶圆基底靠近所述第一金属的一侧进行刻蚀处理，形成阵列排布的多个微凸点，所述微凸点的直径小于或等于2μm；在所述微凸点的间隙中形成绝缘层，得到所述微凸点基板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 基于激光加工的微凸点基板及制备方法、微凸点互联结构

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