申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-09-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112053953B

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/739;H01L29/40

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.12.25#实质审查的生效;2020.12.08#公开

摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，通过执行离子注入工艺，在暴露的半导体衬底内形成掺杂区；执行热氧化工艺，使所述掺杂区内的离子扩散以形成阱区，并在所述阱区上形成热氧化材料层，所述热氧化材料层包括第一部分和第二部分；接着，去除所述热氧化材料层的第一部分及第二部分中远离所述场氧化层的部分，以形成热氧化层；形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述热氧化层并延伸覆盖所述场氧化层中靠近所述热氧化层的部分。通过所述热氧化层可以增加所述多晶硅层与所述半导体衬底之间的整体厚度，避免晶体管在施加反向偏压时，过早的被反向击穿，提高晶体管的反向耐压及高温可靠性。

主权项：1.一种绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的制造方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有场氧化层，所述场氧化层覆盖所述半导体衬底的部分区域；执行离子注入工艺，在暴露的所述半导体衬底内形成掺杂区；执行热氧化工艺，使所述掺杂区内的离子扩散以形成阱区，并在所述阱区上形成热氧化材料层，所述热氧化材料层包括第一部分和第二部分，所述热氧化材料层的第一部分和第二部分分别形成于所述场氧化层两侧；去除所述热氧化材料层的第一部分及第二部分中远离所述场氧化层的部分，以形成热氧化层，并暴露出部分所述阱区；形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述热氧化层并延伸覆盖所述场氧化层中靠近所述热氧化层的部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

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