申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2021-01-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113161224B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C23C16/54;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/44

优先权：["20200123 JP 2020-009201"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工序和第6工序。第1工序将基片送入处理容器内。第2工序在基片形成第1膜。第3工序在第2工序后的基片形成第2膜。第4工序将第3工序后的基片从处理容器送出。第5工序在第4工序后用第1气体的等离子体将形成第2膜时沉积在处理容器内的第1沉积物除去。第6工序在反复执行了从第1工序至第5工序为止的工序后，用第2气体的等离子体将形成第1膜时沉积在处理容器内的第2沉积物除去。

主权项：1.一种在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，其特征在于，包括：将基片送入处理容器内的第1工序；在所述基片形成第1膜的第2工序；在所述第2工序后的所述基片形成第2膜的第3工序；将所述第3工序后的所述基片从所述处理容器送出的第4工序；在所述第4工序后，用第1气体的等离子体将形成所述第2膜时沉积在所述处理容器内的第1沉积物除去的第5工序；和在反复执行了从所述第1工序至所述第5工序为止的工序之后，用第2气体的等离子体将形成所述第1膜时沉积在所述处理容器内的第2沉积物除去的第6工序。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD