申请/专利权人：吉林华微电子股份有限公司

申请日：2021-06-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113410296B

主分类号：H01L29/74

分类号：H01L29/74;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：本申请提供的可控硅结构，涉及半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括电极结构和半导体结构，电极结构与半导体结构电连接。半导体结构包括至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层。其中，至少一层N型半导体材料层和至少一层P型半导体材料层中的至少一层为目标半导体层，目标半导体层包括依次分布的掺杂浓度不同和或掺杂元素不同的多个子区域。基于上述结构设计，可以改善现有的可控硅结构中存在的动态特性不佳的问题。

主权项：1.一种可控硅结构，其特征在于，包括电极结构和半导体结构，所述电极结构与所述半导体结构电连接，所述半导体结构包括：至少一层N型半导体材料层；至少一层P型半导体材料层；其中，所述至少一层N型半导体材料层和所述至少一层P型半导体材料层中的至少一层为目标半导体层，所述目标半导体层为掺杂元素不同的多个子区域；其中，所述至少一层N型半导体材料层包括第一半导体层和第四半导体层，所述至少一层P型半导体材料层包括第二半导体层和第三半导体层；其中，所述第二半导体层位于所述第一半导体层的一侧，所述第三半导体层位于所述第一半导体层远离所述第二半导体层的一侧，所述第四半导体层位于所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一侧；所述至少一层N型半导体材料层还包括第五半导体层，所述第五半导体层位于所述第三半导体层远离所述第一半导体层的一侧；所述第四半导体层覆盖所述第二半导体层的部分区域，所述第二半导体层远离所述第一半导体层的一面上未被所述第四半导体层覆盖的部分，与所述第四半导体层远离所述第一半导体层的一面位于相同的平面内；所述第五半导体层覆盖所述第三半导体层的部分区域，所述第三半导体层远离所述第一半导体层的一面上未被所述第五半导体层覆盖的部分，与所述第五半导体层远离所述第一半导体层的一面位于相同的平面内；其中，所述至少一层N型半导体材料层和所述至少一层P型半导体材料层依次堆叠之后在堆叠方向上的两个表面为目标表面：其中，所述目标表面包括阳极区域和阴极区域，所述阳极区域和所述阴极区域分别与所述电极结构接触，所述阳极区域在进行重掺杂处理之后与所述电极结构形成欧姆接触，所述阴极区域未进行重掺杂处理；所述阳极区域是指P型半导体材料层对应的区域，所述阴极区域是指N型半导体材料层对应的区域；其中，所述目标半导体层为所述N型半导体材料层时，所述目标半导体层的掺杂元素包括氮、磷、砷、锑、铋等元素中多种；所述目标半导体层为所述P型半导体材料层时，所述目标半导体层的掺杂元素包括硼、铝、镓、铟、铊等元素中的多种；所述第四半导体层和所述第五半导体层分别为所述目标半导体层。

全文数据：

权利要求：

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