申请/专利权人:深圳市伟安特电子有限公司
申请日:2021-08-20
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN113644124B
主分类号:H01L29/739
分类号:H01L29/739;H01L29/06
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.22#授权;2021.11.30#实质审查的生效;2021.11.12#公开
摘要:本申请涉及一种新型的低噪声低损耗IGBT,包括N型漂移层,所述的N型漂移层底部依次设置N型缓冲层、P型注入层和集电氧层,所述的集电氧层用于引出集电极,所述的N型漂移层内两侧均开设P体层,每一个P体层内两侧均开设N型发射层,每一个P体层内的两个N型发射层顶部均连接发射极金属层,所述的发射极金属层向外引出发射极,每一个P体层边侧顶部均连接栅氧层且所述的栅氧层同时连接N型发射层和P体层的边侧;所述的栅氧层上设置多晶硅栅层,所述的多晶硅栅层向外引出栅极,两个靠近的P体层中间设置去噪N型层,且所述的去噪N型层最底部低于N型发射层的最底部,且所述的去噪N型层一端插入到P体层内另外一端位于N型漂移层内。
主权项:1.新型的低噪声低损耗IGBT,包括N型漂移层,所述的N型漂移层底部依次设置N型缓冲层、P型注入层和集电氧层,所述的集电氧层用于引出集电极,其特征在于,所述的N型漂移层内两侧均开设P体层,每一个P体层内两侧均开设N型发射层,每一个P体层内的两个N型发射层顶部均连接发射极金属层,所述的发射极金属层向外引出发射极,每一个P体层边侧顶部均连接栅氧层且所述的栅氧层同时连接N型发射层和P体层的边侧;所述的栅氧层上设置多晶硅栅层,所述的多晶硅栅层向外引出栅极,两个靠近的P体层之间的区域中间设置去噪N型层,且所述的去噪N型层最底部低于N型发射层的最底部,且所述的去噪N型层一端插入到P体层内另外一端位于N型漂移层内;所述的去噪N型层沿深度截面为L形,且L形去噪N型层对应的拐角处向外引出去噪极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳市伟安特电子有限公司 新型的低噪声低损耗IGBT
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。