申请/专利权人：三星显示有限公司

申请日：2018-12-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN110034149B

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15

优先权：["20171206 KR 10-2017-0166827"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.12.22#实质审查的生效;2019.07.19#公开

摘要：公开了一种发光二极管器件，所述发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，具有多个发光区域；第一电极和第二电极，位于薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于第一电极与第二电极之间；多个微型发光二极管，位于第一钝化图案上；第一桥接图案，位于微型发光二极管上并且将第一电极电连接到微型发光二极管；以及第二桥接图案，位于第一桥接图案上并且将第二电极电连接到微型发光二极管，其中，每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的每个侧壁形成同一平面。

主权项：1.一种发光二极管器件，所述发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，包括多个发光区域；第一电极和第二电极，位于所述薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于所述第一电极与所述第二电极之间；多个微型发光二极管，位于所述第一钝化图案上；第一桥接图案，位于所述第一电极上并且将所述第一电极电连接到所述多个微型发光二极管；以及第二桥接图案，位于所述第二电极上并且将所述第二电极电连接到所述多个微型发光二极管，其中，所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管的每个侧壁与所述第一钝化图案的相应的侧壁形成同一平面。

全文数据：发光二极管器件本申请要求于2017年12月6日提交的第10-2017-0166827号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请通过引用全部包含于此。技术领域本发明构思的多方面涉及一种包括发光二极管的器件和一种制造该器件的方法。背景技术发光二极管是通过利用化合物半导体的特性将电信号转换为诸如红外光、可见光等的光的器件。发光二极管用于家用电器、远程控制器、电子指示牌和各种自动化装置中，并且它们的应用范围正逐渐扩展。此外，正在进行尝试将发光二极管应用于显示装置。例如，正在进行尝试将发光二极管用作显示装置的背光或者通过将发光二极管减小到能够显示图像的像素的微小尺寸来实现自发光显示装置。因此，利用可集成有多个发光二极管的结构，以便在减小发光二极管的尺寸的同时确保足够的亮度以用于各种类型装置中。然而，为了使发光二极管小型化并且然后集成，发光体与用于将电压施加到发光体的电极或布线之间的连接结构应当是高度可靠的。发明内容本发明构思的实施例的多方面涉及一种具有在发光体与连接到发光体的电极之间的可靠的连接结构的发光二极管器件。本发明构思的实施例的多方面还涉及一种制造具有在发光体与连接到发光体的电极之间的可靠的连接结构的发光二极管器件的方法。根据本发明构思的一些实施例，提供了一种发光二极管器件，该发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，具有多个发光区域；第一电极和第二电极，位于薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于第一电极与第二电极之间；多个微型发光二极管，位于第一钝化图案上；第一桥接图案，位于第一电极上并且将第一电极电连接到微型发光二极管；以及第二桥接图案，位于第二电极上并且将第二电极电连接到微型发光二极管，其中，每个微型发光二极管的每个侧壁与第一钝化图案的相应的侧壁形成同一平面。在一些实施例中，所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管具有圆柱形形状，并且包括对应于顶表面的第一侧壁和对应于底表面的第二侧壁。在一些实施例中，第一侧壁接触第一桥接图案，第二侧壁接触第二桥接图案。在一些实施例中，第一桥接图案沿所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管的侧壁和第一钝化图案的侧壁延伸。在一些实施例中，第二桥接图案沿所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管的侧壁和第一钝化图案的侧壁延伸。在一些实施例中，发光二极管器件还包括障碍肋状件，障碍肋状件位于薄膜晶体管基底上并位于第一电极和第二电极下方。在一些实施例中，所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管包括发光材料和围绕发光材料并具有圆柱形形状的保护层。在一些实施例中，发光材料具有顺序地布置有p型半导体层、中间层和n型半导体层的结构。在一些实施例中，第一侧壁暴露p型半导体层，且第二侧壁暴露n型半导体层。在一些实施例中，第一电极和第二电极包括彼此平行地交替布置的细电极线。在一些实施例中，第一钝化图案位于细电极线之间。在一些实施例中，所述多个微型发光二极管位于细电极线之间。然而，本发明构思的方面不限于在此阐述的实施例。附图说明通过以下结合附图对实施例进行描述，这些和或其它方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的示意性框图；图2是图1中示出的一个发光单元的等效电路图；图3是示出根据本发明构思的实施例的发光二极管的结构的示意图；图4是沿图3的线I-I'截取的剖视图；图5是根据本发明构思的实施例示出一个微型发光二极管的示意性透视图；图6至图18是示出制造根据图3至图5的实施例的发光二极管的工艺的示图。具体实施方式图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的示意性框图。参照图1，发光二极管装置1可以包括具有多个发光单元例如，多个发光器LU的发光面板luminescentpanel10和驱动发光面板10的面板驱动单元例如，面板驱动器。这里，发光二极管装置1可以是包括用于实现图像的装置和用于提供特定光的图案的装置的一种概念。面板驱动单元可以以但不限于并发例如，同步发光模式来驱动发光面板10，并发例如，同步发光模式包括发光单元LU不发光的非发射时间段和发光单元LU同时发光的发光时间段。面板驱动单元可以包括扫描驱动器20、数据驱动器30、电源单元例如，电源40和时序控制器50。发光面板10可以包括发光单元LU以发射光。例如，发光面板10可以包括分别位于第一扫描线SL1至第n扫描线SLn其中，n是大于1的整数与第一数据线DL1至第m数据线DLm其中，m是大于1的整数的交叉区域处的n×m个发光单元LU。发光单元LU可以通过连接到第一电力QVSS和第二电力QVDD而在并发例如，同步发光模式下来驱动，第一电力QVSS和第二电力QVDD在一帧时间段内各自具有改变的或固定的电压电平。随后将描述发光单元LU的结构和驱动方法。扫描驱动器20可以基于第一控制信号CTL1通过第一扫描线SL1至第n扫描线SLn将扫描信号提供到发光单元LU。数据驱动器30可以基于第二控制信号CTL2将数字图像数据转换为模拟数据信号，并且通过第一数据线DL1至第m数据线DLm将模拟数据信号提供到发光单元LU。电源单元40可以基于第三控制信号CTL3将在一帧时间段内各自具有改变的或固定的电压电平的第一电力QVSS和第二电力QVDD供应到发光单元LU。例如，电源单元40可以包括DC-DC转换器和开关，DC-DC转换器从输入电压产生具有各种合适的电压电平的输出电压，开关基于第三控制信号CTL3选取输出电压作为第一电力QVSS和第二电力QVDD的电压电平，以设定第一电力QVSS和第二电力QVDD的各自的电压电平。时序控制器50可以控制扫描驱动器20、数据驱动器30和电源单元40。例如，时序控制器50可以从诸如系统板的外部电路接收控制信号CTL。时序控制器50可以产生第一控制信号CTL1至第三控制信号CTL3以分别控制扫描驱动器20、数据驱动器30和电源单元40。用于控制扫描驱动器20的第一控制信号CTL1可以包括扫描起始信号和扫描时钟信号等。用于控制数据驱动器30的第二控制信号CTL2可以包括水平起始信号、负载信号和图像数据等。用于控制电源单元40的第三控制信号CTL3可以包括用于控制第一电力QVSS和第二电力QVDD的电压电平的开关控制信号。时序控制器50可以基于输入图像数据产生与发光面板10的操作条件对应的数字图像数据，并且将数字图像数据提供到数据驱动器30。图2是图1中示出的一个发光单元LU的等效电路图。参照图2，发光单元LU可以包括第一开关器件T1、第二开关器件T2、第三开关器件T3和第一电容器C1。发光单元LU可以位于第i行第j列。第一开关器件T1、第二开关器件T2和第三开关器件T3可以是薄膜晶体管。在一些实施例中，第一开关器件T1、第二开关器件T2和第三开关器件T3中的每个可以是n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管。在一些实施例中，可以使用p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管。为了易于描述，第一开关器件T1、第二开关器件T2和第三开关器件T3在下文中将被描述为NMOS晶体管。第一开关器件T1可以是驱动晶体管。在实施例中，第一开关器件T1可以包括连接到第一节点N1的第一栅电极、连接到供应第二电力QVDD的第二电力线的第一电极以及连接到第二节点N2的第二电极。这里，第二电力QVDD可以是发光单元LU的驱动电源。因此，第二电力线可以是驱动电力线。第二开关器件T2可以包括连接到第i扫描线并被提供有第i扫描信号S[i]的第二栅电极、连接到第一节点N1的第三电极以及连接到第j数据线并被提供有第j数据信号D[j]的第四电极。第三开关器件T3可以包括连接到发射控制线并被提供有发射控制信号EM的第三栅电极、连接到第二节点N2的第五电极以及连接到第三节点N3的第六电极。第一电容器C1可以位于供应第二电力QVDD的第二电力线与第一节点N1之间。在实施例中，第一电容器C1可以包括连接到供应第二电力QVDD的第二电力线的第一电容电极和连接到第一节点N1的第二电容电极。在一些实施例中，第一电容器C1可以是存储电容器。发光二极管LD可以基于从第一开关器件T1流过的驱动电流来发射光。在实施例中，发光二极管LD可以包括连接到第三节点N3的第一器件电极和连接到供应第一电力QVSS的第一电力线的第二器件电极。发光二极管LD可以基于从第一器件电极流到第二器件电极的电流而发射光。发光二极管LD可以由多个微型发光二极管NLD组成。微型发光二极管NLD可以通过将具有无机晶体结构的发光材料安置在被布置为彼此面对的电极之间并且通过在特定方向上形成电场使发光材料朝向特定极性对齐来形成。虽然在当前实施例中以示例的方式示出了使用三个开关器件和一个电容器构造的发光单元LU的电路图，但发明构思可以不限于这个示例。即，还可以使用其它开关器件或电路器件，或者可以省略以上开关器件中的一个或更多个。在一些实施例中，可以以与在当前实施例中描述的有源矩阵控制机制不同的方式来控制发光二极管LD。现在将描述根据一些实施例的发光二极管LD的具体结构。图3是示出根据本发明构思的实施例的发光二极管LD的结构的示意图。图4是沿图3的线I-I'截取的剖视图。图5是示出一个微型发光二极管NLD的示意性透视图。图3部分地示出在每个发光单元LU的平面结构中形成有发光二极管LD的平面区域。参照图3至图5，每个发光单元LU包括薄膜晶体管基底100、缓冲层200和发光二极管层300，薄膜晶体管基底100包括多个发光区域。在下文中将描述一个发光单元LU的堆叠结构。薄膜晶体管基底100可以是具有上述第一开关器件T1、第二开关器件T2和第三开关器件T3的基底。在实施例中，薄膜晶体管基底100可以由基体基底、设置在基体基底上的半导体层以及设置在半导体层上并通过绝缘层彼此分离的多个金属层组成。缓冲层200设置在薄膜晶体管基底100上。缓冲层200的顶表面可以是基本平坦的，使得发光二极管LD的两个电极设置在平坦表面上。另外，接触孔可以形成在缓冲层200中以将发光二极管LD的两个电极连接到在缓冲层200下方的薄膜晶体管基底100上设置的金属层。障碍肋状件310设置在缓冲层200上。构成发光二极管LD的多个微型发光二极管NLD中的每个可以设置在障碍肋状件310之间，沿障碍肋状件310的侧壁和上表面设置的第一电极ED1和第二电极ED2可以由光反射材料制成。因此，可以使光效率改善例如，提高。然而，本发明构思不限于这种情况。虽然随后要描述的第一电极ED1和第二电极ED2由透明材料制成，但如果障碍肋状件310由光反射材料制成，则仍可以改善光效率。另外，虽然在当前实施例中障碍肋状件310被第一电极ED1和第二电极ED2两者叠置，但是它们也可以仅被第一电极ED1或第二电极ED2叠置。第一电极ED1和第二电极ED2设置在障碍肋状件310上。第一电极ED1可以是发光二极管LD的阳极，第二电极ED2可以是发光二极管LD的阴极。第一电极ED1和第二电极ED2可以分别连接到在缓冲层200下方的金属层以接收第一电力QVSS和第二电力QVDD。第一电极ED1和第二电极ED2可以包括在形成有发光二极管LD的区域中彼此平行地交替布置的细电极线。例如，第一电极ED1可以包括彼此平行地延伸的多个第一电极线ED1_L1至ED1_L4，第二电极ED2可以包括彼此平行地延伸的多个第二电极线ED2_L1至ED2_L4。这里，第一电极线ED1_L1至ED1_L4和第二电极线ED2_L1至ED2_L4可以彼此平行地交替布置。第一电极线ED1_L1至ED1_L4可以彼此电连接以接收相同的电压。第二电极线ED2_L1至ED2_L4也可以彼此电连接以接收相同的电压。这里，施加到第一电极线ED1_L1至ED1_L4和第二电极线ED2_L1至ED2_L4的电压可以是第一电力QVSS和第二电力QVDD。第一电极ED1和第二电极ED2可以由包括钼Mo、铝Al、铂Pt、钯Pd、银Ag、镁Mg、金Au、镍Ni、钕Nd、铱Ir、铬Cr、钛Ti、钽Ta、钨W和铜Cu等的金属中的一种或更多种制成，或者可以由包括氧化物和导电聚合物的各种导电材料制成。第一钝化图案320设置在第一电极ED1与第二电极ED2之间。第一钝化图案320设置在第一电极ED1和第二电极ED2的细电极线之间。在制造工艺中，第一钝化图案320可以使构成发光二极管LD的每个微型发光二极管NLD与第一电极ED1和第二电极ED2分隔开一定距离。第一钝化图案320可以由无机绝缘材料制成并且设置在彼此面对的第一电极ED1与第二电极ED2之间。另外，在设置有每个微型发光二极管NLD的区域中，第一钝化图案320的侧壁可以与微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1和第二侧壁SA2位于同一条线上。微型发光二极管NLD设置在第一钝化图案320上。由成对的第一电极ED1和第二电极ED2控制的微型发光二极管NLD构成一个发光二极管LD。每个微型发光二极管NLD可以设置在第一钝化图案320上并且可以在平面图中设置在第一电极ED1与第二电极ED2之间例如，见图3。每个微型发光二极管NLD包括发光材料EC和围绕发光材料EC并具有圆柱形形状的保护层CS。发光材料EC可以具有无机晶体结构并且可以形成为由保护层CS围绕的圆柱形形状。当电流流动时，发光材料EC可以发射属于从紫外光到可见光范围的波长区域的设定波长或预定波长的光。发光材料EC可以具有顺序地布置有p型半导体层、中间层和n型半导体层的结构。这里，p型半导体层可以从具有组成式InxAlyGa1-x-yN其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1的半导体材料诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN或AlInN等选择。另外，p型半导体层可以包括诸如Mg、Zn、Ca、Sr和或Ba等的p型掺杂剂。中间层是电子和空穴复合的区域。当电子和空穴复合时，中间层可以跃迁到低能级并产生具有与低能级对应的波长的光。中间层可以由具有组成式InxAlyGa1-x-yN其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1的半导体材料制成。另外，中间层可以形成为单量子阱SQW结构或多量子阱MQW结构。中间层也可以包括量子线结构或量子点结构。保护层CS可以覆盖形成为圆柱形形状的发光材料EC的侧表面，保护设置在保护层CS内部的发光材料EC，并且保持发光材料EC的形状。另外，保护层CS可以防止发光材料EC电连接到不期望的组件。因此，保护层CS可以由绝缘材料制成。因为保护层CS覆盖圆柱形的发光材料EC的弯曲的侧壁，所以可以使发光材料EC的圆形的第一侧壁SA1和与第一侧壁SA1相对地设置的圆形的第二侧壁SA2暴露。换言之，每个微型发光二极管NLD可以具有圆柱形形状，微型发光二极管NLD的底表面或顶表面可以对应于第一侧壁SA1，且微型发光二极管NLD的顶表面或底表面可以对应于第二侧壁SA2。这里，因为构成发光材料EC的p型半导体层、中间层和n型半导体层顺序地布置，所以第一侧壁SA1和第二侧壁SA2中的每个可以对应于p型半导体层和n型半导体层中的任何一个。即，发光材料EC可以具有被保护层CS围绕的结构，其中，第一侧壁SA1可以暴露p型半导体层或n型半导体层，第二侧壁SA2可以暴露n型半导体层或p型半导体层。第二钝化图案330设置在微型发光二极管NLD上。第二钝化图案330可以防止或基本防止设置在第二钝化图案330上的第一桥接图案BP1电连接到除了第一电极ED1和每个微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1之外的组件。第二钝化图案330可以由无机绝缘材料制成。第一桥接图案BP1设置在第二钝化图案330和第一电极ED1上。第一桥接图案BP1可以用作通过其可以使第一电极ED1和每个微型发光二极管NLD彼此电连接的通路。如上所述，每个微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1或第二侧壁SA2可以与设置在微型发光二极管NLD下方的第一钝化图案320的相应侧壁形成同一平面。换言之，每个微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1或第二侧壁SA2与设置在微型发光二极管NLD下方的第一钝化图案320的相应的侧壁可以形成一个基本连续的侧壁。在这种情况下，因为每个微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1和第一钝化图案320的侧壁形成基本同一平面，所以可以使在沿微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1和设置在微型发光二极管NLD下方的第一钝化图案320的侧壁设置的第一桥接图案BP1上形成的台阶在尺寸上减小或最小化，从而使第一桥接图案BP1的损坏减少或最小化。第一桥接图案BP1可以由透明导电材料制成。然而，如果充分地确保从每个微型发光二极管NLD发射的光向上行进所经的路径，则第一桥接图案BP1可以由不透明金属材料制成。第三钝化层340设置在第一桥接图案BP1上。第三钝化层340可以使第一桥接图案BP1和第二桥接图案BP2彼此绝缘，并且可以由无机绝缘材料制成。第二桥接图案BP2设置在第三钝化层340和第二电极ED2上。第二桥接图案BP2可以用作通过其可以使第二电极ED2和每个微型发光二极管NLD彼此电连接的通路。第二桥接图案BP2可以电连接到接触每个微型发光二极管NLD的第二侧壁SA2与第二电极ED2。如上所述，因为每个微型发光二极管NLD的第二侧壁SA2和设置在微型发光二极管NLD下方的第一钝化图案320的侧壁形成基本同一平面，所以可以使在沿微型发光二极管NLD的第二侧壁SA2和设置在微型发光二极管NLD下方的第一钝化图案320的侧壁设置的第二桥接图案BP2上形成的台阶减小或最小化，从而使第二桥接图案BP2的损坏减少或最小化。第二桥接图案BP2可以由透明导电材料制成。然而，如果充分地确保从每个微型发光二极管NLD发射的光向上行进所经的路径，则第二桥接图案BP2可以由不透明金属材料制成。第四钝化层350设置在第二桥接图案BP2上。第四钝化层350可以保护设置在第四钝化层350下方的组件免受外部影响。在一些实施例中，可以省略第四钝化层350。在下文中，将详细描述制造根据图3至图5的实施例的发光二极管LD的方法。图6至图18是示出制造根据图3至图5的实施例的发光二极管LD的工艺的示图。在图6至图18中，按工艺顺序示出了沿图3的线I-I'截取的剖面。首先，参照图6，制造薄膜晶体管基底100，并且在薄膜晶体管基底100上堆叠缓冲层200。然后，在缓冲层200上形成障碍肋状件310。接着，在障碍肋状件310上形成第一电极ED1和第二电极ED2。这里，可以通过一个掩模工艺形成障碍肋状件310，并且可以通过另一掩模工艺形成第一电极ED1和第二电极ED2。然而，本发明构思不限于这种情况，根据它们的结构，也可以通过一个掩模工艺形成障碍肋状件310、第一电极ED1和第二电极ED2。如这里使用的，掩模工艺指包括以下工艺中的至少一些的一系列工艺：形成用于形成期望的图案的材料层的工艺；将光敏材料施用在所述材料层上的工艺；通过使用用于在光敏材料的一些区域中阻挡光的掩模来使光敏材料暴露于光的工艺；根据曝光图案部分地去除即，显影光敏材料的工艺；部分地去除即，蚀刻用于形成期望的图案的被暴露的材料层；以及去除剩余光敏材料的工艺。即使以上工艺中的一些被省略，剩余工艺也可以被限定为一个掩模工艺，只要剩余工艺包括通过使用用于阻挡光的掩模使光敏材料暴露于光的工艺即可。例如，当要被制造的图案由光敏材料制成时，可以通过施用光敏材料、使光敏材料暴露于光以及使光敏材料显影的三个工艺来形成由光敏材料制成的期望的图案，所述三个工艺也可以被限定为一个掩模工艺。接着，参照图7，在第一电极ED1和第二电极ED2上形成第一钝化材料层322。接着，参照图8，在第一钝化材料层322上设置多个微型发光二极管NLD，将电压施加到第一电极ED1和第二电极ED2以使微型发光二极管NLD在同一方向上对齐。这里，可以将微型发光二极管NLD与特定溶液混合，然后喷涂到第一钝化材料层322上。然后，可以使该特定溶液自然干燥或将该特定溶液去除以使微型发光二极管NLD留在第一钝化材料层322上。由于形成在第一钝化材料层322上的台阶，可以使每个微型发光二极管NLD与第一电极ED1和第二电极ED2分隔开设定的距离或预定的距离。换言之，可以通过形成在第一钝化材料层322处的台阶使每个微型发光二极管NLD位于第一电极ED1与第二电极ED2之间。接着，参照图9，在第一钝化材料层322和微型发光二极管NLD上形成第二钝化材料层332。接着，参照图10，将光敏材料层PH施用到第二钝化材料层332上。接着，参照图11，通过使用与设置有每个微型发光二极管NLD的区域即，位于第一电极ED1与第二电极ED2之间的区域叠置的掩模MA使紫外光照射到光敏材料层PH。这里，光敏材料层PH可以包含正性光敏材料。然而，本发明构思不限于这种情况，光敏材料层PH也可以包含负性光敏材料。在利用负性光敏材料的示例中，形成在掩模MA中的图案可以颠倒。接着，参照图12，去除光敏材料层PH的使用紫外光照射的区域。然后，蚀刻第一钝化材料层322和第二钝化材料层332以与光敏材料层PH和微型发光二极管NLD的图案对应。这里，第一钝化材料层322和第二钝化材料层332可以被蚀刻两次。如果使第一钝化材料层322和第二钝化材料层332蚀刻两次，则每个微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1或第二侧壁SA2与第一钝化图案320的相应的侧壁可以如上所述被制造为形成相同的平面。具体地，参照图13，第一次蚀刻第一钝化材料层322和第二钝化材料层332。与第二次蚀刻工艺相比，第一次蚀刻工艺可以相对较各向异性，可以执行较长时间，并且可以蚀刻较大量的材料。更具体地，可以在大约5[mT]至大约50[mT]的压力和大约1[KW]至大约3[KW]的功率的条件下通过使用具有大约10[sccm]至大约100[sccm]的流量的氢碳氟化合物类气体和包含CF4、C4F8、CHF3、CH2F2、C2HF5、AR和He中的至少一种并具有大约10[sccm]至大约100[sccm]的流量的附加气体来长时间执行第一次蚀刻工艺。可以执行第一次蚀刻工艺，直到使第二钝化材料层332粗略地变为第二钝化图案330的形状，并且直到第一钝化材料层322与每个微型发光二极管NLD叠置且第一钝化材料层322的仅一部分余留在除了设置有每个微型发光二极管NLD的区域之外的区域中。接着，参照图14，第二次蚀刻剩余的第一钝化材料层322和第二钝化材料层332。与第一次蚀刻工艺相比，第二次蚀刻工艺可以相对较各向同性，可以执行较短时间，并且可以蚀刻相对较少量的材料。更具体地，可以在大约5[mT]至大约50[mT]的压力和大约1[KW]至大约3[KW]的功率的条件下通过使用具有大约10[sccm]至大约150[sccm]的流量的氢碳氟化合物类气体以及包含CF4、C4F8、CHF3、CH2F2、C2HF5和AR中的至少一种和O2并具有大约10[sccm]至大约150[sccm]的流量的附加气体来短时间执行第一次蚀刻工艺。第二次蚀刻工艺使第二钝化材料层332完全地变为第二钝化图案330的形状，并且去除了剩余的第一钝化材料层322的一部分，使得每个微型发光二极管NLD的第一侧壁SA1或第二侧壁SA2与第一钝化图案320的每个侧壁具有相同的平面。接着，参照图15，去除剩余的光敏材料层PH。通过图7至图15的工艺，可以完成包括两个蚀刻工艺的一个掩模工艺。接着，参照图16，使用一个掩模工艺来形成第一桥接图案BP1。接着，参照图17，使用一个掩模工艺来形成第三钝化层340。接着，参照图18，使用一个掩模工艺来形成第二桥接图案BP2。结果，可以完成制造根据图1至图5的实施例的发光单元LU。根据一些实施例，能够提供具有在发光体与连接到发光体的电极之间的可靠的连接结构的发光二极管器件。此外，能够提供制造具有在发光体与连接到发光体的电极之间的可靠的连接结构的发光二极管器件的方法。将理解的是，虽然可以在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和或部分，但是这些元件、组件、区域、层和或部分不应受这些术语的限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。为了易于描述，在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包括装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在另外的元件或特征“下方”“之下”或“下面”的元件或特征随后将定位在所述另外的元件或特征的“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位例如，旋转90度或在其它方位处，并且应当相应地解释在这里使用的空间相对描述语。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两层“之间”时，该层可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为发明构思的限制。如这里使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”和“一种”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和或“包含”及其各种变型时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和或它们的组。如这里使用的，术语“和或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。此外，在描述发明构思的实施例时使用“可以”指“发明构思的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”旨在表示示例或说明。将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”或“邻近于”另一个元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到、直接结合到或直接邻近于另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称作“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”或“直接邻近于”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和类似的术语被用作近似术语而不是程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认可的测量值或计算值的固有偏差。如这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。另外，这里所述的任何数值范围旨在包括归入所述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所述最小值1.0与所述最大值10.0之间并包括所述最小值1.0和所述最大值10.0的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如以2.4至7.6为例。这里所述的任何最大数值限制旨在包括归入其中的所有更低的数值限制，并且本说明书中所述的任何最小数值限制旨在包括归入其中的所有较高的数值限制。因此，申请人保留对本说明书包括权利要求进行修改的权利，以明确地叙述归入这里明确叙述的范围内的任何子范围。所有这些范围旨在在本说明书中固有地描述。虽然已经参照本发明的示例性实施例具体说明并描述了本发明，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在这里进行形式和细节上的各种合适的改变。

权利要求：1.一种发光二极管器件，所述发光二极管器件包括：薄膜晶体管基底，包括多个发光区域；第一电极和第二电极，位于所述薄膜晶体管基底上；第一钝化图案，位于所述第一电极与所述第二电极之间；多个微型发光二极管，位于所述第一钝化图案上；第一桥接图案，位于所述第一电极上并且将所述第一电极电连接到所述多个微型发光二极管；以及第二桥接图案，位于所述第二电极上并且将所述第二电极电连接到所述多个微型发光二极管，其中，所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管的每个侧壁与所述第一钝化图案的相应的侧壁形成同一平面。2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其中，所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管具有圆柱形形状，并且包括对应于顶表面的第一侧壁和对应于底表面的第二侧壁。3.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其中，所述第一侧壁接触所述第一桥接图案，所述第二侧壁接触所述第二桥接图案。4.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其中，所述第一桥接图案沿所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管的侧壁和所述第一钝化图案的侧壁延伸，并且其中，所述第二桥接图案沿所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管的侧壁和所述第一钝化图案的侧壁延伸。5.根据权利要求1所述的发光二极管器件，所述发光二极管器件还包括障碍肋状件，所述障碍肋状件位于所述薄膜晶体管基底上并位于所述第一电极和所述第二电极下方。6.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其中，所述多个微型发光二极管中的每个微型发光二极管包括发光材料和围绕所述发光材料并具有圆柱形形状的保护层。7.根据权利要求6所述的发光二极管器件，其中，所述发光材料具有顺序地布置有p型半导体层、中间层和n型半导体层的结构，其中，所述第一侧壁暴露所述p型半导体层，且所述第二侧壁暴露所述n型半导体层。8.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其中，所述第一电极和所述第二电极包括彼此平行地交替布置的细电极线。9.根据权利要求8所述的发光二极管器件，其中，所述第一钝化图案位于所述细电极线之间。10.根据权利要求8所述的发光二极管器件，其中，所述多个微型发光二极管位于所述细电极线之间。

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