申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司

申请日：2023-03-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116435335B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.08.01#实质审查的生效;2023.07.14#公开

摘要：本发明提供一种沟槽型MOSFET电场屏蔽保护结构及制备方法，通过在所述沟槽下方形成所述第二导电类型屏蔽层，以作为电场屏蔽保护层，并对所述第二导电类型屏蔽层的部分区域进行第一导电类型的高浓度掺杂可形成电流导通区域，从而可有效缓解所述沟槽底部电场较高的问题，并减小所述第一导电类型漂移区的电阻。

主权项：1.一种沟槽型MOSFET电场屏蔽保护结构，其特征在于，所述沟槽型MOSFET电场屏蔽保护结构包括：第一导电类型衬底；外延复合层，所述外延复合层位于所述第一导电类型衬底上，所述外延复合层中包括：第一导电类型漂移区；第二导电类型屏蔽层，所述第二导电类型屏蔽层的上下面均分别与所述第一导电类型漂移区相接触；第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区位于所述第一导电类型漂移区中，且位于所述第二导电类型屏蔽层上方；第一导电类型源区，所述第一导电类型源区位于所述第二导电类型阱区中；沟槽，所述沟槽贯穿所述第一导电类型源区及所述第二导电类型阱区，且所述沟槽的底部位于所述第二导电类型屏蔽层上方的所述第一导电类型漂移区中；第一导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述第二导电类型屏蔽层的掺杂浓度以及大于所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度，所述第一导电类型掺杂区位于所述第一导电类型漂移区中且位于所述第二导电类型阱区下方，所述第一导电类型掺杂区贯穿所述第二导电类型屏蔽层，且所述第一导电类型掺杂区的侧边临近所述沟槽的侧边两者之间具有所述第一导电类型漂移区，所述第一导电类型源区在所述第一导电类型掺杂区上的投影覆盖所述第一导电类型掺杂区。

全文数据：

权利要求：

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