申请/专利权人：台湾爱司帝科技股份有限公司

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112710944B

主分类号：G01R31/28

分类号：G01R31/28;G01R31/26

优先权：["20191025 TW 108138652"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明公开一种发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法。发光二极管晶圆包括一晶圆基底以及设置在晶圆基底上的多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点。每一发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的测试用正极线路层与相对应的测试用负极线路层。多个测试用正极接点分别电性连接于多个测试用正极线路层，多个测试用负极接点分别电性连接于多个测试用负极线路层。借此，让电流由多个测试用负极接点输入后，再从多个测试用正极接点输出，以便于激发每一发光二极管芯片产生一光源。

主权项：1.一种发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，所述发光二极管晶圆检测装置包括：一发光二极管晶圆，所述发光二极管晶圆包括一晶圆基底、多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点；以及一检测模块，所述检测模块设置在所述发光二极管晶圆的上方；其中，多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上；其中，每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层；其中，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层；其中，让电流由多个所述测试用负极接点输入后，再从多个所述测试用正极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源，并利用所述检测模块对每一所述发光二极管芯片所产生的所述光源进行光学检测；其中，所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部，所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点，所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点，且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸；其中，所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部，所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点，所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点，且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。

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