申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117497655B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00;H01L23/60;H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。多量子阱层为周期性结构，周期数为6~10，每个周期均包括依次层叠的副阱层、副垒层、量子阱层、复合盖层和量子垒层；副阱层包括依次层叠的InaGa1‑aN层和InN层，副垒层包括GaN层，量子阱层包括InbGa1‑bN层，复合盖层包括依次层叠的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层，量子垒层包括Si掺GaN层。实施本发明可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力，降低工作电压。

主权项：1.一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层，其特征在于，所述多量子阱层为周期性结构，周期数为6~10，每个周期均包括依次层叠的副阱层、副垒层、量子阱层、复合盖层和量子垒层；所述副阱层包括依次层叠的InaGa1-aN层和InN层，所述副垒层包括GaN层，所述量子阱层包括InbGa1-bN层，所述复合盖层包括依次层叠的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层，所述量子垒层包括Si掺GaN层；其中，a＜b；所述量子阱层的生长温度为680℃~770℃，生长压力为100torr~200torr，所述第一GaN层的生长温度为680℃~750℃，生长压力为100torr~150torr，所述第二GaN层的生长温度为680℃~750℃，生长压力为150torr~200torr，所述第三GaN层的生长温度为740℃~820℃，生长压力为150torr~200torr；所述第一GaN层的生长温度≤所述第二GaN层的生长温度＜所述第三GaN层的生长温度；所述第一GaN层的生长压力＜所述第二GaN层的生长压力≤所述第三GaN层的生长压力；所述副垒层的生长温度＞所述副阱层的生长温度，所述副垒层的生长温度＞所述量子阱层的生长温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

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