申请/专利权人：江南大学

申请日：2022-12-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115985970B

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.05.05#实质审查的生效;2023.04.18#公开

摘要：本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。

主权项：1.一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管，其特征在于：包括自下而上依次叠层的阴极100、n+-Ga2O3外延层200、n--Ga2O3外延层300和阳极400；其中，所述n+-Ga2O3外延层200与所述阴极100之间构成欧姆接触，所述阴极100为钛和金的叠层；所述n--Ga2O3外延层300与所述阳极400之间形成肖特基接触，所述阳极400为具有低功函数的材料和金的叠层；所述具有低功函数的材料为氮化钛，沉积具有低功函数的材料，在Ar和N2的混合气体氛围下进行，其中，氮气分压比为15％；选取两个不同电流，代入IV特性曲线电流一般方程，经过数学整理可以得到理想因子计算方程如公式1所示：

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江南大学 一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法

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