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【发明授权】一种SIC器件散热封装结构及封装方法_贵州芯际探索科技有限公司_202311587616.9 

申请/专利权人:贵州芯际探索科技有限公司

申请日:2023-11-27

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117293104B

主分类号:H01L23/427

分类号:H01L23/427;H01L23/473;H01L23/373;H01L23/34;H01L21/52

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2024.01.12#实质审查的生效;2023.12.26#公开

摘要:本发明涉及一种SiC器件散热封装结构及封装方法,属于SiC器件封装技术领域。一种SiC器件散热封装结构包括装配模组用于放置SiC器件,并用于连通SiC器件与外界电路。传热组件内具有用于放置制冷剂的第一腔体和第二腔体。传热组件靠近第一腔体的外壁用于与SiC器件抵接,并与装配模组围设形成用于放置SiC器件的容置腔。吸热件一端位于第二腔体内,并用于吸收第二腔体内冷却剂蒸汽的热量以使第二腔体内的冷却剂液化,吸热件的另一端位于传热组件外,并用于向外界释放热量。传热组件内具有第一通道和第二通道,第一腔体内的冷却剂的蒸汽从第一通道进入第二腔体。第二腔体内的冷却剂从第二通道进入第一腔体内,吸热件通过装配模组与温控电路电连接。

主权项:1.一种SiC器件散热封装结构,其特征在于,包括:装配模组,用于放置SiC器件,并用于连通所述SiC器件与外界电路;传热组件,内具有用于放置制冷剂的第一腔体和第二腔体,所述传热组件靠近所述第一腔体的外壁用于与所述SiC器件抵接,并与所述装配模组围设形成用于放置所述SiC器件的容置腔;吸热件,一端位于所述第二腔体内,并用于吸收所述第二腔体内冷却剂蒸汽的热量以使第二腔体内的冷却剂液化,所述吸热件的另一端位于所述传热组件外,并用于向外界释放热量,所述传热组件内具有第一通道和第二通道,所述第一腔体内的冷却剂的蒸汽从所述第一通道进入所述第二腔体,所述第二腔体内的冷却剂从所述第二通道进入所述第一腔体内,所述吸热件通过所述装配模组与温控电路电连接;所述第二通道应位于所述第一通道与所述SiC器件之间,所述第二腔体底面到第一腔底面应该具有一定的距离,以使所述第二腔体内的冷却剂的液面到第一腔体的底部的距离H’与所述第一腔体内冷却剂的液面到所述第一腔体的底面的距离H满足H’>H。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 贵州芯际探索科技有限公司 一种SIC器件散热封装结构及封装方法

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