申请/专利权人：天津津航技术物理研究所

申请日：2021-11-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114124225B

主分类号：H04B10/27

分类号：H04B10/27;G02F1/035

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.03.18#实质审查的生效;2022.03.01#公开

摘要：本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统，包括自下而上依次层叠布置的基底晶片、下包层、铌酸锂薄膜以及上包层；铌酸锂薄膜上设有铌酸锂光波导；铌酸锂光波导包括依次连接的模斑转换波导、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、第三直波导和光学微腔波导；上包层上与第一直波导相对应的位置设有第一金属电极；第一金属电极、模斑转换波导以及第一直波导共同形成相位调制器；上包层上与光学微腔波导相对应的位置设有第二金属电极；第二金属电极、第三直波导以及光学微腔波导共同形成高Q微谐振器；铌酸锂薄膜上还设有与高Q微谐振器输出端相连接的探测器。本申请有利于实现光生微波源的小型化和工程化。

主权项：1.一种基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片，其特征在于，包括自下而上依次层叠布置的基底晶片1、下包层2、铌酸锂薄膜3以及上包层5；所述铌酸锂薄膜3上设有铌酸锂光波导4；所述铌酸锂光波导4包括依次连接的模斑转换波导4-1、第一直波导4-2、第一弯曲波导4-3、第二直波导4-4、第二弯曲波导4-5、第三直波导4-6和光学微腔波导4-7；所述上包层5上与所述第一直波导4-2相对应的位置设有第一金属电极9；所述第一金属电极9、所述模斑转换波导4-1以及所述第一直波导4-2共同形成相位调制器6；所述上包层5上与所述光学微腔波导4-7相对应的位置设有第二金属电极10；所述第二金属电极10、所述第三直波导4-6以及所述光学微腔波导4-7共同形成高Q微谐振器7；所述铌酸锂薄膜3上还设有与所述高Q微谐振器7输出端相连接的探测器8；所述第二金属电极10采用集总电极结构，用于所述高Q微谐振器7的中心频率调谐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津津航技术物理研究所 基于铌酸锂薄膜的可调谐集成光生微波源芯片及系统

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