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【发明授权】晶上集成结构及其形成方法_之江实验室_202311533163.1 

申请/专利权人:之江实验室

申请日:2023-11-17

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117246976B

主分类号:B81C3/00

分类号:B81C3/00;B81C1/00;H01L23/473

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要:本公开涉及晶上集成结构及其形成方法。该用于形成晶上集成结构的方法包括:在第一基板形成锁孔结构,形成锁孔结构的步骤包括:形成从基板的键合面延伸入基板的键合槽;形成多个从键合槽延伸入基板的键合孔;形成低陷在键合槽内的金属层结构;在第二基板形成凸闩结构,形成凸闩结构的步骤包括:形成层叠于基板的金属焊盘,其中,金属焊盘的外周与对应的键合槽的槽壁匹配;形成多个层叠于金属焊盘的金属凸点,金属焊盘处金属凸点的位置与对应的键合槽内键合孔的位置匹配;形成延伸入基板的流道结构;将金属焊盘对接于键合槽内;以及将凸闩结构键合于锁孔结构。该方法执行简单。此外,该方法能够将两个基板牢固可靠地连接。

主权项:1.用于形成晶上集成结构的方法,其特征在于,包括:在两个基板中的第一基板形成锁孔结构,形成所述锁孔结构的步骤包括:形成从所述基板的键合面延伸入所述基板的键合槽;形成多个从所述键合槽延伸入所述基板的键合孔;形成低陷在所述键合槽内的金属层结构;在所述两个基板中的第二基板形成凸闩结构,形成所述凸闩结构的步骤包括:形成层叠于所述基板的金属焊盘,其中,所述金属焊盘的外周与对应的所述键合槽的槽壁匹配,所述金属焊盘的高度等于所述金属层结构在所述键合槽内的深度;形成多个层叠于所述金属焊盘的金属凸点,所述金属焊盘处所述金属凸点的位置与对应的所述键合槽内所述键合孔的位置匹配;对所述两个基板中至少一个形成延伸入所述基板的流道结构;将所述金属焊盘对接于所述键合槽内;以及将所述凸闩结构键合于所述锁孔结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 之江实验室 晶上集成结构及其形成方法

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