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【发明授权】基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质_东京毅力科创株式会社_201980008874.2 

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

申请日:2019-01-28

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN111630636B

主分类号:H01L21/304

分类号:H01L21/304;F26B3/24;F26B3/28;F26B21/10

优先权:["20180129 JP 2018-012932"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2020.11.20#实质审查的生效;2020.09.04#公开

摘要:本发明提供一种能够防止图案倒塌并行使充满在形成于基片的图案的凹部中的升华性物质升华的基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质。第1单元包括:溶液供给部,其将含有升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到处理面Wa;和第1液除去部,其从被供给了升华性物质溶液的处理面Wa上除去溶剂和处理液,在处理面Wa上形成升华性物质的固体膜SS。第2单元包括:第2液除去部61、62、63,其对形成有固体膜SS的基片W进行加热,将基片W维持在比升华性物质的升华温度低的第1温度范围内的温度,由此使残存在固体膜SS内的溶剂和处理液70气化;和固体膜除去部61、62、63,其将基片W加热至升华温度以上的第2温度范围内的温度,由此将固体膜SS从处理面Wa上除去。

主权项:1.一种基片干燥方法,其使具有使用处理液进行了液处理的处理面的基片干燥,所述基片干燥方法的特征在于,包括:在所述处理面形成升华性物质的固体膜的第1处理步骤;和使所述固体膜升华以将其从所述处理面除去的第2处理步骤,所述第1处理步骤包括:溶液供给步骤,将含有所述升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到所述处理面;和第1液除去步骤,从被供给了所述升华性物质溶液的所述处理面上除去所述溶剂和所述处理液,在所述处理面上形成所述升华性物质的所述固体膜,所述第2处理步骤包括:第2液除去步骤,对形成有所述固体膜的所述基片进行加热,将该基片维持在比所述升华性物质的升华温度低的第1温度范围内的温度,由此使残存在所述固体膜内的所述溶剂和所述处理液气化;以及固体膜除去步骤,在将所述基片维持在所述第1温度范围内的温度后,将该基片加热至所述升华性物质的升华温度以上的第2温度范围内的温度,由此将所述固体膜从所述处理面上除去。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 东京毅力科创株式会社 基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质

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