申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司

申请日：2021-01-07

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113206096B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27

优先权：["20200115 US 16/743,329"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.10.24#专利申请权的转移;2021.08.20#实质审查的生效;2021.08.03#公开

摘要：本公开涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，其中具有沟道材料串。导电通孔穿过所述沟道材料串正上方的绝缘材料形成。所述导电通孔中的个别导电通孔直接电耦合到所述沟道材料串中的个别沟道材料串。在形成所述导电通孔之后，在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区域。居间材料形成于所述沟槽中、横向处于横向紧邻的存储器块区域之间且在纵向上沿着所述横向紧邻的存储器块区域。公开与方法无关的额外方法和结构。

主权项：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，其中具有沟道材料串；穿过所述沟道材料串正上方的绝缘材料形成导电通孔，所述导电通孔中的个别导电通孔直接电耦合到所述沟道材料串中的个别沟道材料串；在形成所述导电通孔之后，在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区域；使居间材料在所述沟槽中形成为横向处于横向紧邻的存储器块区域之间且在纵向上沿着所述横向紧邻的存储器块区域；使所述居间材料形成为从所述交替的第一层和第二层的最上部向上延伸到所述存储器块区域之间的所述居间材料的相应顶部表面；以及使所述导电通孔形成为具有相应顶部表面，其中相应居间材料顶部表面的仅一部分与相应导电通孔顶部表面的至少一部分竖向重合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

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