申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766509A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L23/64;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供了一种MIM电容结构。该MIM电容结构包括：存储单元，存储单元包括具有顶电极和底电极的磁性隧道结；第一绝缘介质层，设置于顶电极和或底电极远离磁性隧道结的一侧；第一金属层，设置于第一绝缘介质层远离存储单元的一侧，存储单元、第一绝缘介质层以及第一金属层层叠设置。通过将存储单元、第一绝缘介质层和第一金属层层叠构成该MIM电容结构，避免为形成上极板而单独引入一层光罩造成的高成本，降低了生产成本，且缩短了MIM电容结构制作周期的时长。

主权项：1.一种MIM电容结构，其特征在于，包括：存储单元，所述存储单元包括层叠的底电极、磁性隧道结和顶电极；第一绝缘介质层，设置于所述顶电极远离所述磁性隧道结的一侧，和或所述底电极远离所述磁性隧道结的一侧；第一金属层，设置于所述第一绝缘介质层远离所述存储单元的一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 MIM电容结构

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