申请/专利权人：陕西科技大学

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766548A

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/84

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种基于SOI衬底的锑化物CMOS器件及其制备方法，包括SOI衬底、n沟道锑化物外延层和p沟道锑化物外延层；所述SOI衬底包括从底部向上依次设置的底硅层、SiO2层和顶硅层，所述n沟道锑化物外延层和p沟道锑化物外延层分别独立生长在底硅层或顶硅层上，所述底硅层上的锑化物外延层的两侧均有SiO2层。本发明提供了一种具有更高迁移率Si基锑化物CMOS器件的制备方法，解决了Si材料载流子迁移率较低的问题，同时可以降低Si和锑化物之间由晶格失配、热失配以及反相畴等问题引起的位错密度。

主权项：1.一种基于SOI衬底的锑化物CMOS器件，其特征在于，包括SOI衬底、n沟道锑化物外延层4和p沟道锑化物外延层7；所述SOI衬底包括从底部向上依次设置的底硅层1、SiO2层2和顶硅层3，所述n沟道锑化物外延层4和p沟道锑化物外延层7分别独立生长在底硅层1或顶硅层3上，所述底硅层1和顶硅层3上生长的锑化物外延层不同，所述底硅层1上的锑化物外延层的两侧均有SiO2层2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陕西科技大学 一种基于SOI衬底的锑化物CMOS器件及其制备方法

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