申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766555A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供一种像元结构及CMOS图像传感器，所述像元结构包括P型衬底及钳位光电二极管，钳位光电二极管包括：环形隔离单元；P型钳位层；至少两个N型埋层，且沿远离传输管的方向排列；至少两个P型埋层，同层设于相邻N型埋层的交界面的两端且位于N型埋层中；距传输管较远的N型埋层的掺杂浓度小于或等于距传输管较近的N型埋层的掺杂浓度；和或，距传输管较远的P型埋层的掺杂浓度大于或等于距传输管较近的P型埋层的掺杂浓度；和或，距传输管较远的P型埋层的横截面面积大于或等于距传输管较近的P型埋层的的横截面面积。本发明中，通过设置N型埋层和P型埋层的位置、面积及掺杂浓度，以提高像元结构的成像质量。

主权项：1.一种像元结构，用于与传输管连接，其特征在于，所述像元结构包括P型衬底及形成于所述P型衬底中且与所述传输管连接的钳位光电二极管，所述钳位光电二极管包括：环形隔离单元，用于定义感光区；P型钳位层，位于所述感光区的表层；至少两个N型埋层，同层排布于所述感光区的P型钳位层下，且沿远离所述传输管的方向依次相接排列；至少两个P型埋层，同层设于相邻所述N型埋层的交界面的两端且位于所述N型埋层中；其中，距所述传输管较远的所述N型埋层的掺杂浓度小于或等于距所述传输管较近的所述N型埋层的掺杂浓度；和或，距所述传输管较远的所述P型埋层的掺杂浓度大于或等于距所述传输管较近的所述P型埋层的掺杂浓度；和或，距所述传输管较远的所述P型埋层的横截面图形面积大于或等于距所述传输管较近的所述P型埋层的的横截面图形面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 像元结构及CMOS图像传感器

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