申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766524A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供一种MIM电容结构的制作方法，包括：提供半导体结构；形成覆盖上极板金属层的光阻层；执行主刻蚀步骤，刻蚀去除暴露出的预设厚度的介质层；主刻蚀完成后在半导体结构的表面残留有聚合物；清洗去除聚合物；执行过刻蚀步骤，将暴露出的剩余厚度的介质层刻蚀去除；低温灰化工艺去除光阻层。本发明将覆盖在半导体结构的表面的聚合物清除，并且主刻蚀步骤剩余厚度的介质层可以避免过多的F基气体接触下极板金属层产生更难去除的含F的聚合物。随后使用过刻蚀步骤将剩余厚度的介质层刻蚀干净。采用低温灰化工艺去除光阻层，防止聚合物高温硬化不易去除。解决了由于刻蚀产生过重的聚合物而造成后续工艺存在缺陷的问题。

主权项：1.一种MIM电容结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括自下而上的下极板金属层、介质层和上极板金属层；形成覆盖所述上极板金属层的光阻层；所述光阻层暴露出部分所述介质层；执行主刻蚀步骤，以所述光阻层为掩膜刻蚀去除暴露出的预设厚度的所述介质层；主刻蚀完成后在所述半导体结构的表面残留有聚合物；清洗去除所述聚合物；执行过刻蚀步骤，将暴露出的剩余厚度的所述介质层刻蚀去除；低温灰化工艺去除所述光阻层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 MIM电容结构的制作方法

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