申请/专利权人:江苏易矽科技有限公司;江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日:2023-12-29
公开(公告)日:2024-03-26
公开(公告)号:CN117766575A
主分类号:H01L29/739
分类号:H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开
摘要:本发明涉及半导体功率器件领域,具体说是一种可以抑制Snapback现象的RC‑IGBT结构。它包括第一导电类型的半导体衬底,半导体衬底的正面有元胞区。其特点是,所述半导体衬底背面的缓冲层上沿半导体衬底的横向均布有腐蚀沟槽,腐蚀沟槽呈等腰梯形,且其底部宽度大于顶部宽度,相邻两个腐蚀沟槽间的半导体衬底底部均注入有第一导电类型的二极管阳极区。所述腐蚀沟槽的侧壁和槽底上均注入有第二导电类型的集电区;所述腐蚀沟槽内和二极管阳极区底部均积淀有背面金属。该IGBT的可靠性高,工作稳定性好。
主权项:1.一种可以抑制Snapback现象的RC-IGBT结构,包括第一导电类型的半导体衬底,半导体衬底的正面有元胞区;其特征在于,所述半导体衬底背面的缓冲层上沿半导体衬底的横向均布有腐蚀沟槽,腐蚀沟槽呈等腰梯形,且其底部宽度大于顶部宽度,相邻两个腐蚀沟槽间的半导体衬底底部均注入有第一导电类型的二极管阳极区;所述腐蚀沟槽的侧壁和槽底上均注入有第二导电类型的集电区;所述腐蚀沟槽内和二极管阳极区底部均积淀有背面金属。
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权利要求:
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