申请/专利权人：广州美维电子有限公司

申请日：2023-11-07

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766462A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;C25D3/38;C25D5/18;C25D5/02;C25D7/00;C25D21/12

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.26#公开

摘要：本发明提供了一种适用于外层薄铜邦定工艺的HDI填孔电镀方法，包括如下步骤：步骤1，棕化；步骤2，激光直接钻盲孔；步骤3，除胶；步骤4，沉铜闪镀；步骤5，垂直直流电镀填孔：根据成品需要铜厚电镀，按照成品要求铜厚加1um的方式计算进行加厚；步骤6，水平脉冲电镀填孔：限制表面水平脉冲镀层铜厚1‑2um。本发明通过水平填孔的参数进行填孔后，将盲孔完全填孔，同时面铜只有约2um，这样总铜厚15um，通过干膜前处理，阻焊前处理微蚀后达到成品铜厚12um的要求，且同时脉冲镀层的2um被后工序的微蚀以及沉镍金的微蚀完全去除，只剩下直流电镀层用于邦定，确保了打线在直流镀层上。

主权项：1.一种适用于外层薄铜邦定工艺的HDI填孔电镀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，棕化，使HDI板的表面氧化；步骤2，激光直接钻盲孔，使用激光打孔机在步骤S1氧化的HDI板表面钻孔；步骤3，除胶，将步骤2中激光钻孔时所产生的胶渣清除；步骤4，沉铜闪镀，使用电镀装置在步骤2所开设的盲孔内电镀上一层铜形成导通；步骤5，垂直直流电镀填孔：根据成品需要铜厚电镀，按照成品要求铜厚加1um的方式计算进行加厚；步骤6，水平脉冲电镀填孔：限制表面水平脉冲镀层铜厚1-2um。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州美维电子有限公司 一种适用于外层薄铜邦定工艺的HDI填孔电镀方法

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