申请/专利权人：四川英创力电子科技股份有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881112A

主分类号：H05K3/46

分类号：H05K3/46;H05K3/42;H05K3/00;H05K1/09;H05K3/38;H05K1/03

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种28层8阶UltraHDI及其制作方法，涉及印制电路板加工技术领域，方法包括：压合：12张RTF铜箔、8张PP1037叠放压合；减铜棕化：两侧各层积一张RTF铜箔，并采用一张PP隔开；将最外层的铜厚减铜至4μm‑6μm；镭射钻孔：镭射内靶设计6‑8个；镭射孔径70μm±5μm；等离子除胶；沉铜；填孔电镀；线路贴膜：采用MSAP专用干膜；负片酸性蚀刻；判断：若上述步骤已经层积16张RTF铜箔，则结束；若没有，则从减铜棕化开始执行。本方案采用超精细线路制作、超薄介质层压合、微小盲孔制作、层间对准度等技术，线宽线距达到30μm20μm，介质层30μm，盲孔孔径75μm。

主权项：1.一种28层8阶UltraHDI制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、压合：提供12张RTF铜箔，表面粗糙度评定参数Rz≤2μm，铜厚12μm；提供8张PP1037；将RTF铜箔和PP1037叠放，从上往下，第9层与第10层、第11层与第12层、第13层与第14层、第15层与第16层、第17层与第18层、第19层与第20层的RTF铜箔均采用一张PP1037隔开，第14层与第15层的RTF铜箔采用两张PP1037隔开；压合，压合后介质层厚度不超过30μm；S2、减铜棕化：在前一步骤制备的压合结构顶部和底部各层积一张RTF铜箔，并均采用一张PP与压合结构隔开；将最外层的铜厚减铜至4μm-6μm；S3、镭射钻孔：镭射内靶设计6-8个；镭射孔径70μm±5μm，通过自动光学检测进行确认；S4、等离子除胶：镭射钻孔后去除表面残留物；S5、沉铜；S6、填孔电镀：电镀之后的铜厚范围15μm-20μm；S7、线路贴膜：贴膜采用MSAP专用干膜，厚度15μm，干膜附着力测试满足10μm10μm，解析度满足10μm10μm；S8、负片酸性蚀刻：蚀刻后，所得盲孔孔径75μm，线宽线距30μm20μm；S9、判断：若上述步骤已经层积有16张RTF铜箔，则结束；若没有，则继续从S2开始执行；在步骤S2中，第9层层积的RTF铜箔采用一张PP1037隔开；第21层层积的RTF铜箔采用一张PP1037隔开；其余层层积的RTF铜箔采用一张PP1017隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 四川英创力电子科技股份有限公司 一种28层8阶Ultra HDI及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD