申请/专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所;中国科学院上海硅酸盐研究所

申请日：2021-04-02

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN113253332B

主分类号：G01T3/06

分类号：G01T3/06;C04B35/50;C04B35/622

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：一种基于GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏的高分辨中子成像探测器及其制造方法。该高分辨中子成像探测器包括：GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏，用于吸收中子并发出闪烁光；光路系统，用于收集所述GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏上的闪烁光并将其投影至感光元件上；以及感光元件，用于通过接收闪烁光并进行光电转换，记录中子的成像信息。由于GOS:Tb透明陶瓷为透明结构且厚度为微米级别，因此可以有效降低光斑尺寸，提高光输出率，从而实现微米级的空间分辨率。

主权项：1.一种基于GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏的高分辨中子成像探测器，其特征在于，包括：GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏，用于吸收中子并发出闪烁光；所述GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏中的GOS:Tb透明陶瓷厚度为微米级别；光路系统，用于收集所述GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏上发出的闪烁光并将其投影至感光元件上；感光元件，用于通过接收所述光路系统投影的闪烁光，并进行光电转换，记录中子的成像信息；所述高分辨率中子成像探测器的制备方法包括：GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏制备：采用镀膜技术将反射层薄膜镀在基底上，将GOS:Tb透明陶瓷粘结固定在反射层薄膜上，再对GOS:Tb透明陶瓷进行薄化处理，使其厚度小于30μm，制得GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏；所述基底的材质包括氧化铝、氮化硅、碳化硅、二氧化锆、氮化铝、镁铝尖晶石和钇铝石榴石中的至少一种；采用制得的GOS:Tb透明陶瓷闪烁屏与光路系统和感光元件组装成所述高分辨中子成像探测器；其中，所述光路系统包括反射镜和镜头；所述感光元件为CCD相机、sCMOS相机或者TpxCam相机。

全文数据：

权利要求：

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