申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2022-09-20

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790565A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本申请提供了一种超结LDMOS器件以及制造超结LDMOS器件的方法。该超结LDMOS器件包括衬底、栅极、以及外延层。该外延层包括体区、源区和体区接触区，并且还包括漏区、缓冲区、漂移区、第一漂移增强区和第二漂移增强区。第一漂移增强区靠近栅极，第二漂移增强区靠近外延层的背离衬底的表面。第一漂移增强区和第二漂移增强区掺杂了N型杂质。漂移区包括N型柱区和P型柱区。N型柱区中的N型杂质的浓度小于其对应的第一漂移增强区的片段和第二漂移增强区的片段中的N型杂质的浓度。P型柱区中的N型杂质的浓度小于其对应的第一漂移增强区的片段和第二漂移增强区的片段中的N型杂质的浓度。

主权项：1.一种超结LDMOS器件，其特征在于，所述超结LDMOS器件包括衬底、栅极、以及位于所述衬底和所述栅极之间的外延层，其中，所述外延层背离所述衬底的一侧包括体区、源区和体区接触区，所述体区包括连接在一起的第一体区部分和第二体区部分，所述第一体区部分和所述第二体区部分在垂直于所述衬底的第一方向上具有不同的厚度，所述第一体区部分和所述第二体区部分的靠近所述衬底的表面处于同一平面，所述源区和所述体区接触区位于所述第一体区部分的背离所述衬底的表面，所述栅极在所述衬底上的正投影包围所述第二体区部分在所述衬底上的正投影，其中，所述外延层背离所述衬底的一侧还包括漏区、缓冲区、漂移区、第一漂移增强区和第二漂移增强区，所述缓冲区位于所述漏区和所述漂移区之间，所述第一漂移增强区相对于所述漂移区更靠近所述栅极，所述第二漂移增强区相对于所述漂移区更靠近所述外延层的背离所述衬底的表面，所述第一漂移增强区和所述第二漂移增强区掺杂了N型杂质，所述漂移区包括N型柱区和被所述N型柱区至少部分地包围的至少一个P型柱区，所述N型柱区中的N型杂质的浓度小于其在所述第一方向上对应的所述第一漂移增强区的片段和所述第二漂移增强区的片段中的N型杂质的浓度，所述P型柱区中的N型杂质的浓度小于其在所述第一方向上对应的所述第一漂移增强区的片段和所述第二漂移增强区的片段中的N型杂质的浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 超结LDMOS器件及制造超结LDMOS器件的方法

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