申请/专利权人：德州仪器公司

申请日：2023-09-13

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117791527A

主分类号：H02H9/00

分类号：H02H9/00

优先权：["20220929 US 17/955,926"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：本申请涉及低电容ESD保护装置。提供用于高电压例如，15kV、30kV应用的低电容双向和单向静电放电ESD保护装置300的实例。此类装置300包含二极管322、332和经由其阳极耦合以形成NPN结构的齐纳二极管326、336，以及与所述NPN结构串联耦合的另一低电容二极管324、334的电路316、318。此类电路316、318可配置在两个裸片304、306中的每一个上，且所述电路经由引线键合342、344耦合。额外的引线键合346、348可用于将所述装置300的两个引脚312、314分别耦合到所述两个电路316、318，或所述引脚312、314可经由相应导电裸片附接件耦合到所述电路。

主权项：1.一种静电放电ESD保护装置，其包括：第一电路，其包含第一二极管、第二二极管和第一齐纳二极管，所述第一二极管的阳极耦合到所述第一齐纳二极管的阳极以形成第一NPN结构；以及第二电路，其包含第三二极管、第四二极管和第二齐纳二极管，所述第三二极管的阳极耦合到所述第二齐纳二极管的阳极以形成第二NPN结构；其中所述第二二极管串联耦合到所述第一NPN结构，并且所述第四二极管串联耦合到所述第二NPN结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德州仪器公司 低电容ESD保护装置

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