申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117791303A

主分类号：H01S5/12

分类号：H01S5/12;H01S5/062;H01S5/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种非同腔相干阵边发射半导体激光器及制备方法，包括：半导体衬底和形成于半导体衬底上表面的半导体外延层；半导体外延层上表面依次设置有一维非同腔阵列区、相位调制区和相干耦合区；一维非同腔阵列区包括交替排列的长腔和短腔，相邻腔体之间设置有电隔离区；一维非同腔阵列区上表面设置有P型金属电极层，半导体衬底下表面设置有N型金属电极层；一维非同腔阵列区端面设置有高反膜，相干耦合区端面设置有增透膜。本发明可以实现半导体激光阵列稳定锁相的同相模输出，且光束质量达到近衍射极限，远场光场呈线形分布，可用于对目标线性扫描，大大提升了激光雷达的探测速度。

主权项：1.一种非同腔相干阵边发射半导体激光器，其特征在于，包括：半导体衬底和形成于所述半导体衬底上表面的半导体外延层；所述半导体外延层上表面沿长度方向依次设置有一维非同腔阵列区、相位调制区和相干耦合区；所述一维非同腔阵列区包括沿宽度方向交替排布的长腔和短腔且两相邻的长腔与短腔之间设有电隔离区，所述相位调制区及相干耦合区的长度均满足Talbot效应；所述一维非同腔阵列区的上表面设有P型金属电极层，所述半导体衬底的下表面设有N型金属电极层；所述一维非同腔阵列区的端面设有高反膜，所述相干耦合区的端面设有增透膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种非同腔相干阵边发射半导体激光器及制备方法

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