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【发明授权】一种电容式触摸屏ITO薄膜的制备方法_冷水江市京科电子科技有限公司_202311132140.X 

申请/专利权人:冷水江市京科电子科技有限公司

申请日:2023-09-04

公开(公告)日:2024-03-29

公开(公告)号:CN117275830B

主分类号:H01B13/00

分类号:H01B13/00;H01B5/14;G06F3/044

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.29#授权;2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要:本发明涉及ITO薄膜制备技术领域,具体为一种电容式触摸屏ITO薄膜的制备方法,先制备碳纳米管薄膜,再将碳纳米管薄膜于ITO溶胶中浸渍,取出后再进行干燥及热处理即可,本发明所提供的ITO薄膜具有较高的透光度和较低的电阻率,且可挠性良好。

主权项:1.一种电容式触摸屏ITO薄膜的制备方法,其特征在于,具体如下:S1:将铟盐、锡盐、乙醇胺、4-二甲氨基吡啶、溶剂作为原料制备得到ITO溶胶;S1中所述溶剂包括乙酰丙酮和乙酸酐;S2:将碳纳米管、分散剂、水混合超声分散后离心,取上层清液,加入离子液体和导电聚合物得到碳纳米管分散液,利用喷涂法将所述碳纳米管分散液喷涂在基板上,所述基板的温度为105-120℃,从基板上取下形成的碳纳米管薄膜;S2中所述碳纳米管为环氧化碳纳米管;所述环氧化碳纳米管的制备方法如下:将羧基化碳纳米管加入有机溶剂中,超声分散均匀加入KH-560,升温至回流反应5-10h后,过滤,洗涤后干燥即可;S3:将所述碳纳米管薄膜于ITO溶胶中浸渍提拉数次,取出后干燥,再进行热处理,热处理温度为400-420℃,热处理时间为30-60min;S1、S2无先后顺序。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 冷水江市京科电子科技有限公司 一种电容式触摸屏ITO薄膜的制备方法

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