申请/专利权人：东进世美肯株式会社

申请日：2018-04-17

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN108774141B

主分类号：C07C211/54

分类号：C07C211/54;C07C211/61;H10K50/10;H10K50/15;H10K50/17;H10K85/60

优先权：["20170417 KR 10-2017-0049342"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2020.05.08#实质审查的生效;2018.11.09#公开

摘要：本发明涉及新颖化合物以及包含该新颖化合物的有机发光器件，本发明的一实例的新颖化合物适用于有机发光器件，可确保有机发光器件的高效率、长寿命、低的驱动电压及驱动稳定性。

主权项：1.一种化合物，其特征在于，由以下化学式1表示：化学式1 在上述化学式1中，Ar1及Ar2分别独立地为苯基、萘基、联苯基、或它们的组合，Ar及Ar’为苯基、苄基或萘基，R1、R2、R3及R4为氢，L1及L2二者均为直接键合，l及m分别独立地为0～3的整数，n为0～4的整数。

全文数据：新颖化合物及包含其的有机发光器件技术领域[0001]本发明涉及新颖化合物及包含其的有机发光器件。背景技术[0002]在有机发光二极管中，用作有机物层的材料可根据功能大致分类为发光材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料、电子注入材料等。并且，上述发光材料可根据分子量分类为高分子和低分子，可根据发光机理分类为来源于电子的单重态激发状态的焚光材料和来源于电子的三重态激发状态的磷光材料，发光材料可根据发光色分类为蓝色、绿色、红色发光材料和体现更好的天然色所需的黄色及橙色发光材料。并且，为了增加色纯度，并通过能量转移增加发光效率，可将主体掺杂剂类用作发光物质。其原理为若将与主要构成发光层的主体相比，能带隙小且发光效率优秀的掺杂剂少量混合于辅助层中，则在主体中产生的激子向掺杂剂输送，从而发出效率高的光。此时，主体的波长向掺杂剂的波长带移动，因而可根据利用的掺杂剂和主体的种类获得所需的波长的光。[0003]至今，作为使用于这种有机发光器件的物质，众所周知的有多种化合物，但在利用至今众所周知的物质的有机发光器件的情况下，由于高的驱动电压、低的效率及短寿命，持续要求开发新的材料。因此，持续努力利用具有优秀的特性的物质来开发具有低电压驱动、高亮度及长寿命的有机发光器件。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1韩国公开专利10-2015-0086721发明内容[0007]本发明提供新颖有机化合物及其制备方法以及包含该新颖有机化合物的有机发光器件。[0008]但是，本发明所要解决的问题不局限于以上描述的问题，本发明所属技术领域的普通技术人员可根据以下的记载内容明确地理解未描述的其他问题。[0009]本发明的第一实施方式提供由以下化学式1表示的化合物：[0010]化学式1[0012]在上述化学式1中，[0013]Ar1、Ar2、Ar及Ar’分别独立地为取代或未取代的的芳基、或者取代或未取代的C^3q的杂芳基，[0014]R1U3及R4分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的Cho的烷基、取代或未取代的C2〜3Q的烯基、取代或未取代的Cno的烷氧基、取代或未取代的Chq的芳基、或者取代或未取代的C^3q的杂芳基，[0015]1^及1^分别独立地为直接键合、取代或未取代的Q^3O的亚芳基、或者取代或未取代的C^3O的杂亚芳基，[0016]1及m分别独立地为0〜3的整数，η为0〜4的整数。[0017]本发明的第二实施方式提供在第一电极及第二电极之间包括含有本发明的化合物的有机物层的有机发光器件。[0018]本发明的一实例的化合物，将亚苯基置于中间，由芳基胺与二芳基芴连接而成，可形成适合于空穴输送层的最高占据分子轨道HOMO能级，可使用于有机发光器件，并可实现有机发光器件的低电压、高效率及长寿命。[0019]并且，就本发明的化合物而言，芳基胺和二芳基芴连接在亚苯基的间位meta或邻位ortho，可维持通过抑制π-共辄而容易阻断电子的高的最低未占分子轨道LUMO能级及高的Tl，有效地将激子放入发光层内，由此可极大化有机发光器件的效率，并可实现长寿命。并且，借助二芳基芴，可维持高的玻璃转化温度Tg，可防止薄膜的重结晶化，由此增加热稳定性，并可确保驱动稳定性。[0020]并且，由于具有在亚苯基的间位meta或邻位ortho连接芳基胺的二芳基荷的稳定性和分子薄膜排列的优秀性，增大快速的空穴流动性holemobility，抑制滚降ro11-off现象，可实现有机发光器件的高效率及长寿命。附图说明[0021]图1表不本发明一实例的有机发光器件的简图。[0022]附图标记的说明[0023]100:基板[0024]200:空穴注入层[0025]300:空穴输送层[0026]400:发光层[0027]500:电子输送层[0028]600:电子注入层[0029]1000:阳极[0030]2000:阴极具体实施方式[0031]以下，参照附图，详细说明本发明的实例及实施例，使得本发明所属技术领域的普通技术人员可容易实施。[0032]但是，本发明能够以多种不同的形态实现，且不局限于在此说明的实例及实施例。并且，在图中，为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中，对于类似的部分，标注了类似的附图标记。[0033]在本发明说明书全文中，当一个部件位于另一部件“上”时，不仅包括一个部件与另一部件相接触的情况，还包括在两个部件之间存在其他部件的情况。[0034]在本发明说明书全文中，当一个部分“包括”一个结构要素时，除非有特别相反的记载，则意味着还可包括其他结构要素，而不是排除其他结构要素。在本发明说明书全文中使用的术语“约”、“实质上”等在所提及的含义上提示固有的制备及物质容差时以其数值或接近于其数值的含义使用，以防止昧良心的侵权人不当地利用为了帮助理解本发明而提及准确或绝对的数值的公开内容。在本发明说明书全文中使用的术语“〜（的）步骤”或“〜的步骤”不意味着“用于〜的步骤”。[0035]在本发明说明书全文中，马库什Markush形式的表现中所含的“它们的组合”这一术语意味着选自由马库什形式的表现中所记载的多个结构要素组成的组中的一种以上的混合或组合，意味着包括选自由上述多个结构要素组成的组中的一种以上。[0036]在本发明说明书全文中，“A和或B”这一记载意味着“A或B，或者A及B”。[0037]在本发明说明书全文中，术语“芳基”意味着包含C6-3Q的芳香族烃环基，例如，苯基、苄基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、三苯基烯基、苯基烯基、窟基、荧烷噻吩甲基、苯并芴基、苯并三苯基烯基、苯并窟基、蒽基、均二苯乙烯基、芘基等的芳香族环，“杂芳基”作为包含至少一个杂元素的C5-3Q的芳香族环，例如，意味着包含从吡咯啉基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲唳基、P丫啶基、菲咯啉基、噻吩基及由吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二噁烷环、昵啶环、吗啉环、昵嗪环、味卩坐环、呋喃环、噻吩环、卩惡卩坐环、卩惡二卩坐环、苯并卩惡卩坐环、噻卩坐环、噻重氮环、苯并噻唑环、三唑环、咪唑环、苯并咪唑环、吡喃环、二苯并呋喃环形成的芳香族杂环基。[0038]在本发明说明书全文中，术语“可取代的”可意味着可由选自由重氢、卤素、氨基、腈基、硝基或的烷基、C2〜C2q的烯基、〜〇的烷氧基、C3〜C2q的环烷基、C3〜C2q的杂环烷基、C6〜C3q的芳基及C3〜C3q的杂芳基组成的组中的一种以上的基取代。[0039]本发明的第一实施方式提供由以下化学式1表示的化合物：[0040]化学式1[0042]在上述化学式1中，[0043]Ar1、Ar2、Ar及Ar’分别独立地为取代或未取代的Q^3q的芳基、或者取代或未取代的C^3q的杂芳基，[0044]R1U3及1?4分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的Cho的烷基、取代或未取代的C2〜3Q的烯基、取代或未取代的Cno的烷氧基、取代或未取代的Chq的芳基、或者取代或未取代的C^3q的杂芳基，[0045]1^及1^分别独立地为直接键合、取代或未取代的Q^3q的亚芳基、或者取代或未取代的C^3O的杂亚芳基，[0046]1及m分别独立地为0〜3的整数，η为0〜4的整数。[0047]本发明的一实例的化合物，将亚苯基置于中间，由芳基胺NAr1Ar2与二芳基芴连接而成。[0048]并且，芳基胺与亚苯基、亚苯基与二芳基芴进行直接键合或者可通过连接基L1SL2相连接，二芳基芴在第二位置结合亚苯基或者连接基L2。[0049]本发明的化合物，可形成适合于空穴输送层的HOMO能级，可使用于有机发光器件，可实现有机发光器件的低电压、高效率及长寿命。[0050]并且，就本发明的化合物而言，芳基胺与二芳基芴连接在亚苯基的间位meta或邻位ortho，可维持通过抑制π-共辄而容易阻断电子的高LUMO能级及高Tl，有效地将激子放入发光层内，由此可极大化有机发光器件的效率。并且，借助二芳基芴，可维持高的玻璃转化温度Tg，可防止薄膜的重结晶化，由此增加热稳定性，并可确保驱动稳定性。[0051]并且，由于具有在亚苯基的间位meta或邻位ortho连接芳基胺的二芳基荷的稳定性和分子薄膜排列的优秀性，增大快速的空穴流动性holemobility，抑制滚降ro11-off现象，可实现有机发光器件的高效率及长寿命。[0052]并且，本发明的一实例，上述化合物可由以下化学式2或3表示。[0054]在上述化学式2或化学式3中，[0055]Ari、Ar、Ar’、1?1、1?2、1?3、1?4、1^、1^、1、111及11如上述化学式1所定义，[0056]Ar3及Ar4分别独立地为取代或未取代的C6〜25的芳基、或者取代或未取代的C5〜25的杂芳基，[0057]R及R’分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的〜24的烷基、取代或未取代的C2〜24的烯基、取代或未取代的Chm的烷氧基、取代或未取代的0^24的芳基、或者取代或未取代的C^24的杂芳基。[0058]由上述化学式2或3表示的化合物可形成适合于发光辅助层的更低的Η0Μ0能级。在本发明中，发光辅助层是指形成在空穴输送层与发光层之间的层，根据空穴输送层的数量，也可被称之为第二空穴输送层或第三空穴输送层等。[0059]并且，在本发明的一实例中，上述化合物可由以下化学式3-1表示。由以下化学式3-1表示的化合物，空穴流动性改善及薄膜的稳定性优秀，可有效改善寿命。[0060]化学式3-1[0062]在上述化学式3-1中，[0063]Ari、Ri、R2、R3、R4、Li、L2、I、m及η如上述化学式1所定义，[0064]Ar3、Ar4、R及R’如上述化学式3所定义。[0065]根据本发明的一实例，在上述化学式2、化学式3或化学式3-1中，上述R3及R4可以是氢。这种情况下，可最小化分子的巨大bulky特性，可维持低分子量，沉积时，薄膜排列优秀，热稳定性有可能优秀。[0066]根据本发明的一实例，在上述化学式2、化学式3或化学式3-1中，上述Ari、Ar3及Ar4分别独立地可以为苯基、萘基、联苯基、三联苯基、四苯基或它们的组合。这种情况下，可维持较小的分子量，沉积工序时可防止化合物的热分解。[0067]并且，在本发明的一实例中，上述化合物可由以下化学式4或5表示。[0069]在上述化学式4或化学式5中，[0070]Ari、Ar、Ar’、1?1、1?2、1?3、1?4、1^、1^、1、111及11如上述化学式1所定义，[0071]L3为直接键合、取代或未取代的C6〜17的亚芳基、或者取代或未取代的C5〜17的杂亚芳基，[0072]R5、R6、R7及R8分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的Cl〜17的烧基、取代或未取代的C2〜n的烯基、取代或未取代的CM7的烷氧基、取代或未取代的CW7的芳基、或者取代或未取代的的杂芳基，[0073]R及R’分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的的烷基、取代或未取代的C2〜24的烯基、取代或未取代的Chm的烷氧基、取代或未取代的0^24的芳基、或者取代或未取代的C^24的杂芳基。[0074]由上述化学式4或化学式5表示的化合物可形成适合于空穴输送层的较高的HOMO能级。[0075]并且，在本发明的一实例中，上述化合物可由以下化学式5-1表示。由以下化学式5-1表示的化合物，空穴流动性改善及薄膜的稳定性优秀，可有效改善寿命。[0076]化学式5-1[0078]在上述化学式5-1中，[0079]Ari、Ar、Ar’、1?1、1?2、1?3、1?4、1^、1^、1、111及11如上述化学式1所定义，[0080]1^、1?5、1?6、1?7、1?8、1?及1?’如上述化学式5所定义。[0081]根据本发明的一实例，在上述化学式4、化学式5或化学式5-1中，上述R3及R4可以是氢。这种情况下，可最小化分子的巨大bulky特性，可维持低分子量，沉积时，薄膜排列优秀，热稳定性有可能优秀。[0082]根据本发明的一实例，在上述化学式4、化学式5或化学式5-1中，办及1?8可以是取代或未取代的Ch17的烷基。这种情况下，可具有更适合于空穴输送层的HOMO能级和快速的空穴流动性holemobility。并且，虽然并不局限于此，但是上述办及办可以是甲基。这种情况下，可具有更适合的Η0Μ0能级，可具有更快的空穴流动性holemobility。[0083]在本发明的一实例中，由上述化学式1表示的化合物可根据如以下反应式的工序进行合成：[0084]反应式[0086]在上述反应式中，[0087]h为卤素，[0088]Ar1、Ar2、Ar及Ar’分别独立地为取代或未取代的Q^3q的芳基、或者取代或未取代的C^3q的杂芳基，[0089]Ri、R2、R3及R4分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的Ci〜3〇的烧基、取代或未取代的C2〜3Q的烯基、取代或未取代的Cno的烷氧基、取代或未取代的Chq的芳基、或者取代或未取代的C^3q的杂芳基，[0090]1^及1^分别独立地为直接键合、取代或未取代的Q^3q的亚芳基、或者取代或未取代的C^3O的杂亚芳基，[0091]1及m分别独立地为0〜3的整数，η为0〜4的整数。[0092]在本发明的一实例中，由上述化学式1至化学式5表示的化合物可以是以下揭示的第1至第262中的任一种化合物，有可能不局限于此：[0101]本发明的第二实施方式提供包含由上述化学式1至5中的任一个表示的化合物的有机发光器件。上述有机发光器件可在第一电极及第二电极之间包括含有本发明化合物的一层以上的有机物层。[0102]在本发明的一实例中，上述有机物层可以为空穴注入层、空穴输送层及发光辅助层，但有可能不局限于此，并且，本发明的化合物形成有机物层时可单独使用或与公知的化合物一同使用。[0103]在本发明的一实例中，上述有机发光器件可包括含有空穴输送物质的有机物层及含有由上述化学式1表示的化合物的有机物层，但有可能不局限于此。根据本发明的一实例，如上所述，上述化学式1的化合物可由化学式2至5中的任一个表示。[0104]上述有机发光器件可在阳极anode和阴极cathode之间包括一层以上的空穴注入层HIL、空穴输送层HTL、发光层EML、电子输送层ETL、电子注入层EIL等的有机物层。[0105]例如，上述有机发光器件可根据图1中所记载的结构来制备而成。有机发光器件可至下而上依次层叠阳极空穴注入电极1000空穴注入层200空穴输送层300发光层400电子输送层500电子注入层600阴极（电子注入电极2000。[0106]在图1中，基板100可使用用于有机发光器件的基板，尤其，可以为机械强度、热稳定性、透明性、表面平滑性、处理容易性及防水性优秀的透明的玻璃基板或可弯曲的塑料基板。[0107]空穴注入电极1000用作用于注入有机发光器件的空穴的阳极。为了可注入空穴，利用具有低的功函数的物质，可由氧化铟锡（ITO、氧化铟锌（IZO、石墨烯graphene之类的透明的材质形成。[0108]通过真空沉积法、旋涂法、铸造法、LBLangmuir-Blodgett法等来在上述阳极电极上部沉积空穴注入层物质，由此可形成空穴注入层200。在通过上述真空沉积法来形成空穴注入层的情况下，其沉积条件因用作空穴注入层200的材料的化合物、所需空穴注入层的结构及热特性等而不同，但通常可在50-500°C的沉积温度、10_8至10_3torr托）的真空度、0.01至的沉积速度、至5μηι的层厚度范围内适当地进行选择。[0109]接着，通过真空沉积法、旋涂法、铸造法、LB法等来在上述空穴注入层200上部沉积空穴输送层物质，由此可形成空穴输送层300。在通过上述真空沉积法来形成空穴输送层的情况下，其沉积条件因使用的化合物而不同，但通常，优选地，在与空穴注入层的形成几乎相同的条件范围内进行选择。[0110]上述空穴输送层300可使用本发明的化合物，如上所述，可单独使用本发明的化合物或者一起使用公知的化合物。并且，根据本发明的一实例，空穴输送层300可以是一层以上，可一起包含仅由公知的物质形成的空穴输送层。并且，根据本发明的一实例，在上述空穴输送层300上可形成发光辅助层。在本发明中发光辅助层是指形成在空穴输送层与发光层之间的层，根据空穴输送层的数量，也可被称之为第二空穴输送层或第三空穴输送层等。[0111]通过真空沉积法、旋涂法、铸造法、LB法等方法，在上述空穴输送层300或发光辅助层上沉积发光层物质，由此可形成发光层400。在通过上述真空沉积法来形成发光层的情况下，其沉积条件因使用的化合物而不同，但通常，优选地，在与空穴注入层的形成几乎相同的条件范围内进行选择。并且，上述发光层材料可将公知的化合物用作主体或掺杂剂。[0112]并且，在发光层中，与磷光掺杂剂一同使用的情况下，为了防止三重态激子或空穴向电子输送层扩散的现象，通过真空沉积法或旋涂法还可层叠空穴抑制材料HBL。此时可使用的空穴抑制物质不受特别的限制，但可从用作空穴抑制材料的公知的物质中选择任意物质来利用。例如，可例举噁二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物或日本特开平11-329734Al中所记载的空穴抑制材料等，代表性地，可使用Balq双8-羟基-2-甲基喹啉-错联苯酸盐）、菲略啉phenanthrolines类化合物如通用显示器UDC公司的BCPBassoCoupoline等。[0113]在如上形成的发光层400上部形成有电子输送层500,此时，上述电子输送层可通过真空沉积法、旋涂法、铸造法等方法来形成。并且，上述电子输送层的沉积条件因使用的化合物而不同，但通常，优选地，在与空穴注入层的形成几乎相同的条件范围内进行选择。[0114]之后，可在上述电子输送层500上部沉积电子注入层物质来形成电子注入层600，此时，上述电子输送层可通过真空沉积法、旋涂法、铸造法等的方法来形成常规的电子注入层物质。[0115]上述有机发光器件的空穴注入层200、空穴输送层300、发光层400、电子输送层500可使用本发明的化合物或如下的物质，或者，可一同使用本发明的化合物和公知的物质。[0117]通过真空沉积法或溅射法等的方法来在电子注入层600上形成用于注入电子的阴极2000。作为阴极，可使用多种金属。具体例有铝、金、银等的物质。[0118]本发明的有机发光器件不仅可以采用阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、阴极结构的有机发光器件，还可采用多种结构的有机发光器件的结构，根据需要，还可形成一层或两层的中间层。[0119]如上所述，根据本发明形成的各个有机物层的厚度可根据所需的程度来进行调节，优选地，具体为10至IOOOnm，更具体为20至150nm〇[0120]并且，在本发明中，包含由上述化学式1表示的化合物的有机物层可将有机物层的厚度调节为分子单位，因而具有表面均匀且形态稳定性突出的优点。[0121]针对本实施方式的有机发光化合物，均可适用对于本发明的第一实施方式记载的内容，但可不局限于此。[0122]以下，通过本发明的实施例进行更具体的说明，本发明的范围不局限于本实施例。[0123]实施例[0124]中间体IM合成[0125]为了合成目的化合物，通过如下反应式，合成中间体頂。[0127]制备例1:中间体頂1合成[0129]在圆底烧瓶中，将64.Og的（9，9-二苯基-9H-芴-2-基）硼酸（9,9-乜？1^1^1-9!1-fluoren-2-ylboronicacid、50.0g的1-溴_2_鹏苯（l-bromo-2-iodobenzene溶解于IlOOml的1,4-二噁烷（I，4-dioxan，放入K2C032M270ml与PdPPh346.Ig之后，进行回流搅拌。利用薄层色谱法TLC来确认反应，并添加水之后，结束反应。利用甲基纤维素MC来提取有机层，并进行减压过滤之后，进行重结晶来获得了60.2g收率72%的中间体頂1。[0130]通过与上述IMl相同的方法，使用（9,9_二苯基-9H-芴-2-基）硼酸（（9,9_diphenyl-9H-fluoren_2-ylboronicacid、1-溴_3_鹏苯（l-bromo-3-iodobenzene作为起始物质，合成以下IM2。[0132]中间体OP合成[0133]并且，为了合成目的化合物，通过如下反应式，合成OPl。[0135]在圆底烧瓶中，将15.^的上述（2-溴-9,9-二甲基-冊-芴）（2_1^〇111〇-9,9-dimethyl-9H_fluorene、5.6g的苯胺（aniline、t_Bu0Na7.9g、Pd2dba32.0g、（t_Bu3P2.5ml溶解于200ml的甲苯之后，进行回流搅拌。利用薄层色谱法TLC来确认反应，并添加水之后，结束反应。利用甲基纤维素MC来提取有机层，并进行减压过滤之后，进行重结晶来获得了11.75g收率75%的OPl。[0136]使用与上述OPl相同的方法，如以下表1所示，采用不同的起始物质，合成以下0P2至0P12〇[0137]表I[0139]化合物合成[0140]化合物1的合成[0142]在圆底烧瓶中，将3.0g的IM1、0P11.8g、t-Bu0Na0.9g、Pd2dba30.23g、（t-Bu3P0.26ml溶解于70ml的甲苯之后，进行回流搅拌。利用薄层色谱法TLC来确认反应，并添加水之后，结束反应。利用甲基纤维素MC来提取有机层，并进行减压过滤之后，进行重结晶来获得了2.92g收率68%的化合物Umz:677.31100.0%、678.3157.1%、679.3115.7%^680.322.9%[0143]化合物2的合成[0145]利用0P2来代替OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物2收率72%mz:753.34100.0%^754.3463.1%^755.3519.6%^756.354.0%[0146]化合物3的合成[0148]利用0P3来代替OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物3收率65%mz:753.34100.0%^754.3463.1%^755.3519.6%^756.354.0%[0149]化合物4的合成[0151]利用0P4来代替OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物4收率70%mz:753.34100.0%^754.3463.1%^755.3519.6%^756.354.0%[0152]化合物5的合成[0154]利用0P5来代替OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物5收率69%mz:793.37100.0%^794.3766.3%^795.3821.8%^796.384.7%[0155]化合物6的合成[0157]利用IM2来代替IMl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物6收率62%mz:677.31100.0%^678.3157.1%^679.3115.7%^680.322.9%[0158]化合物7的合成[0160]利用頂2及0P2来代替頂1及OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物7收率65%〇mz：753,34100.0%^754.3463.1%^755.3519.6%^756.354.0%[0161]化合物8的合成[0163]利用頂2及0P3来代替頂1及OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物8收率58%〇mz：753,34100.0%^754.3463.1%^755.3519.6%^756.354.0%[0164]化合物9的合成[0166]利用頂2及0P4来代替頂1及OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物9收率60%〇mz：753,34100.0%^754.3463.1%^755.3519.6%^756.354.0%[0167]化合物10的合成[0169]利用IM2及0P5来代替IMl及OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物10收率63%〇mz：793,37100.0%^794.3766.3%^795.3821.8%^796.384.7%[0170]化合物11的合成[0172]利用0P6来代替0P1，通过与化合物1相同的方法，合成化合物11收率73%mz:637.28100.0%^638.2853.4%^639.2814.0%^640.292.4%[0173]化合物12的合成[0175]利用0P7来代替0P1，通过与化合物1相同的方法，合成化合物12收率70%mz:713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0176]化合物13的合成[0178]利用0P8来代替0P1，通过与化合物1相同的方法，合成化合物13收率66%mz:713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0179]化合物14的合成[0181]利用0P9来代替0P1，通过与化合物1相同的方法，合成化合物14收率69%mz:713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0182]化合物15的合成[0184]利用OPlO来代替0P1，通过与化合物1相同的方法，合成化合物15收率75%肩z:713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0185]化合物16的合成[0187]利用OPll来代替0P1，通过与化合物1相同的方法，合成化合物16收率65%肩z:713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0188]化合物17的合成[0190]利用0P12来代替0P1，通过与化合物1相同的方法，合成化合物17收率70%肩z:713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0191]化合物18的合成[0193]利用IM2及OPlO来代替IMl及OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物18收率67%〇mz：713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0194]化合物19的合成[0196]利用IM2及OPll来代替IMl及OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物19收率59%〇mz：713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0197]化合物20的合成[0199]利用IM2及0P12来代替IMl及OPl，通过与化合物1相同的方法，合成化合物20收率63%〇mz：713.31100.0%^714.3160.3%^715.3117.6%^716.323.4%[0200]有机发光器件制造[0201]实施例1用作空穴输送层）[0202]通过蒸馏水超声波对以的厚度将氧化铟锡ITO涂敷成薄膜的玻璃基板进行洗涤。若蒸馏水洗涤结束，则利用异丙醇、丙酮、甲醇等的溶剂来进行超声波洗涤，并进行干燥之后，移送至等离子清洗机，然后利用氧等离子来将上述基板清洗5分钟之后，在氧化铟锡基板上部利用热真空沉积器thermalevaporator，作为空穴注入层将的HIOl进行制膜，将的HATCN进行制膜，作为空穴输送层将^的化合物1进行制膜之后，作为上述发光层掺杂3%的BH01:BDOl，以进行制膜。接着，作为电子输送层将的ETOl=Liq1:1进行制膜之后，将的LiF、.的铝Al进行制膜，并将该器件密封Encapsulation于手套箱中，从而制备了有机发光器件。[0203]实施例2至实施例10[0204]使用与实施例1相同的方法，制备使用化合物2至10来代替化合物1而制膜的有机发光器件。[0205]比较例1至5[0206]使用与实施例1相同的方法，制备使用以下的Ref.1至Ref.5来代替化合物1而制膜的有机发光器件。[0208]实施例11:用作发光辅助层）[0209]通过蒸馏水超声波对以的厚度将氧化铟锡ITO涂敷成薄膜的玻璃基板进行洗涤。若蒸馏水洗涤结束，则利用异丙醇、丙酮、甲醇等的溶剂来进行超声波洗涤，并进行干燥之后，移送至等离子清洗机，然后利用氧等离子来将上述基板清洗5分钟之后，在氧化铟锡基板上部利用热真空沉积器thermalevaporator，作为空穴注入层将的HIOl进行制膜，将=的HATCN进行制膜，作为空穴输送层将的BPA进行制膜，作为发光辅助层将.的化合物11进行制膜之后，作为上述发光层掺杂3%的BH01:BD01，以进行制膜。接着，作为电子输送层将的ETOl=Liq1:1进行制膜之后，将的LiF、的铝Al进行制膜，并将该器件密封Encapsulation于手套箱中，从而制备了有机发光器件。[0210]实施例12至实施例20[0211]使用与实施例11相同的方法，制备使用化合物12至20来代替化合物11而制膜的有机发光器件。[0212]比较例6至10[0213]使用与实施例11相同的方法，制备使用以下Ref.6至Ref.10来代替化合物11而制膜的有机发光器件。[0215]有机发光器件的性能评价[0216]利用吉时利2400源测量单元Kiethley2400sourcemeasurementunit施加电压来注入电子及空穴，利用柯尼卡美能达KonicaMinolta分光福射计CS-2000来测定发光时的亮度，由此在大气压条件下，测定对于施加电压的电流密度及亮度，从而评价了实施例及比较例的有机发光器件的性能，并将其结果示于表2及表3中。[0221]如上述表2所示，本发明的实施例1至10用作空穴输送层，与比较例1至比较例5相比，可确认到效率提高及寿命延长，在所有方面上可确认到优秀的物性，如上述表3所示，本发明的实施例11至20用作发光辅助层第二空穴输送层），与比较例6至比较例10相比，可确认到效率提高及寿命延长，在所有方面上可确认到优秀的物性。[0222]更具体地，与芳基胺和二苯基荷连接在亚苯基的对位para的比较例1及比较例6相比，本发明的实施例的芳基胺和二芳基荷连接在亚苯基的间位meta或邻位ortho，可维持通过抑制π-共辄而容易阻断电子的高的LUMO能级及Tl，由此可确认到有机发光器件的驱动电压低，效率及寿命特性得到改善。[0223]并且，与芳基胺连接在二甲基芴的比较例2及比较例7相比，具有二芳基芴的实施例可优秀地诱导分子的薄膜及及界面排列。[0224]并且，与芳基胺和二苯基荷连接在亚苯基的间位meta或邻位ortho，但二苯基芴的第三或第四位置连接在亚苯基而不是二苯基芴的第二位置连接在亚苯基的比较例3、4及比较例8、9相比，实施例的二芳基芴的第二位置连接在亚苯基，形成适合于空穴输送层及发光辅助层的Η0Μ0,由此驱动电压低，效率提高以及寿命延长。[0225]并且，与芳基胺连接在巨大的螺芴的比较例5及比较例10相比，实施例具有二苯基芴而不是具有螺芴，由此可确认到流动性得到提高，并实现长寿命化。[0226]上述本发明的说明是用于例示性的，本发明所属技术领域的普通技术人员可以理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下，能够以其他具体方式容易变形。因此，应理解以上描述的多个实施例在所有方面是例示性的，而不是限定性的。例如，以单一型说明的各个结构要素可分散地实施，同样，说明为分散的多个结构要素也能够以结合的方式实施。[0227]本发明的范围由所附的专利发明要求保护范围表示，而不是上述详细说明，专利发明要求保护范围的含义及范围以及由其等同概念导出的所有变更或变形的方式应当被解释为包括在本发明的范围中。

权利要求：1.一种化合物，其特征在于，由以下化学式1表示：化学式1在上述化学式1中，Ar1、Ar2、Ar及Ar’分别独立地为取代或未取代的C¢^3的芳基、或者取代或未取代的C5〜30的杂芳基，Ri、R2、R3及R4分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的的烷基、取代或未取代的C2〜30的烯基、取代或未取代的的烷氧基、取代或未取代的Q^3q的芳基、或者取代或未取代的C^3q的杂芳基，!^及“分别独立地为直接键合、取代或未取代的C6〜30的亚芳基、或者取代或未取代的C^3O的杂亚芳基，1及m分别独立地为0〜3的整数，η为0〜4的整数。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，上述化合物由以下化学式2或化学式3表示：在上述化学式2或化学式3中，Ari、Ar、Ar’、1?1、1?2、1?3、1?4、11、1^、1、111及11如上述化学式1所定义，Ar3及Ar4分别独立地为取代或未取代的Q^25的芳基、或者取代或未取代的C5〜25的杂芳基，R及R’分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的CH4的烷基、取代或未取代的C2〜24的烯基、取代或未取代的Cn4的烷氧基、取代或未取代的CH4的芳基、或者取代或未取代的C5〜24的杂芳基。3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，上述化合物由以下化学式3-1表示，化学式3-1在上述化学式3-1中，Ari、Ri、R2、R3、R4、Li、L2、l、m及η如上述化学式1所定义，Ar3、Ar4、R及R’如上述化学式3所定义。4.根据权利要求2或3所述的化合物，其特征在于，上述Αη、ΑΓ3及Ar4分别独立地为苯基、萘基、联苯基、三联苯基、四苯基、或它们的组合。5.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，上述化合物为以下化合物中的一种化合物：6.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，上述化合物为以下化合物中的一种化合物：p7.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，上述化合物由以下化学式4或化学式5表示：在上述化学式4或化学式5中，Ari、Ar、Ar’、1?1、1?2、1?3、1?4、11、1^、1、111及11如上述化学式1所定义，L3为直接键合、取代或未取代的Chn的亚芳基、或者取代或未取代的C5〜n的杂亚芳基，R5、R6、R7及R8分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的Cl〜17的烧基、取代或未取代的C2〜17的烯基、取代或未取代的Ch17的烷氧基、取代或未取代的Q^17的芳基、或者取代或未取代的CH7的杂芳基，R及R’分别独立地为氢、重氢、取代或未取代的CH4的烷基、取代或未取代的C2〜24的烯基、取代或未取代的Cn4的烷氧基、取代或未取代的CH4的芳基、或者取代或未取代的C5〜24的杂芳基。8.根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，上述化合物由以下化学式5-1表示，化学式5-1在上述化学式5-1中，Ari、Ar、Ar’、1?1、1?2、1?3、1?4、11、1^、1、111及11如上述化学式1所定义，L3、R5、R6、R7、R8、R及R’如上述化学式5所定义。9.根据权利要求7或8所述的化合物，其特征在于，上述R7及R8为取代或未取代的C1^17的烧基。10.根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，上述化合物为以下化合物中的一种化合物：O11.根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，上述化合物为以下化合物中的一种化合物：O12.—种有机发光器件，其特征在于，在第一电极及第二电极之间包括有机物层，上述有机物层包含权利要求1至11中任一项所述的化合物。13.根据权利要求12所述的有机发光器件，其特征在于，上述有机物层为空穴注入层、空穴输送层及发光辅助层中的一层以上。14.根据权利要求12所述的有机发光器件，其特征在于，上述有机物层为空穴输送层。15.根据权利要求12所述的有机发光器件，其特征在于，上述有机物层为发光辅助层。

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