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【发明公布】阳极器件结构及其制备方法_安徽熙泰智能科技有限公司_202311795546.6 

申请/专利权人:安徽熙泰智能科技有限公司

申请日:2023-12-25

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117812982A

主分类号:H10K71/60

分类号:H10K71/60;H10K71/00;H10K59/80;H10K59/35;H10K59/12;H10K59/122;H10K50/856;H10K50/818;H10K50/81

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本发明公开了一种阳极器件结构的制备方法,包括:驱动电路衬底上依次制备像素定义层、阳极层、第一ITO层、第一硬掩模层和光刻胶层;露出红子像素和绿子像素区域;去除光刻胶层;依次制备第二ITO层、第二硬掩模层、第二光刻胶层;露出红子像素和蓝子像素区域;去除光刻胶层;依次制备第三ITO层、第三硬掩模层、第三光刻胶层;露出绿子像素和蓝子像素区域;去除光刻胶层;刻蚀硬掩膜层;露出像素定义层区域;刻蚀ITO层、阳极层和像素定义层,像素定义层中具有倒角结构;去除光刻胶层。本发明可起到反射聚光作用。本发明还公开了一种阳极器件结构。

主权项:1.阳极器件结构的制备方法,其特征在于,包括:驱动电路衬底上制备像素定义层;制备阳极层和第一ITO层;露出红子像素区域和绿子像素区域;制备第二ITO层;露出红子像素区域和蓝子像素区域;制备第三ITO层;露出绿子像素区域和蓝子像素区域;刻蚀第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层、阳极层和像素定义层,像素定义层中具有倒角结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽熙泰智能科技有限公司 阳极器件结构及其制备方法

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