申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2023-08-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810260A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H05K1/18

优先权：["20220930 US 17/937212"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本公开的发明名称是“将多遍工序用于深度控制来形成金属栅极切口”。本文中提供了形成半导体器件的技术，该半导体器件包括具有不同宽度例如，至少1.5倍的宽度差但基本上相同高度例如，小于5nm的高度差的栅极切口。在一个或多个半导体区域之上延伸的给定栅极结构可用任何数量的栅极切口中断，每个栅极切口延伸穿过栅极结构的整个厚度。根据一些实施例，类似的第一宽度的栅极切口经由第一蚀刻工艺形成，而大于第一宽度的类似的第二宽度的栅极切口经由不同于第一蚀刻工艺的第二蚀刻工艺形成。对于不同宽度的栅极切口使用不同的蚀刻工艺为不同宽度的栅极切口保持了类似的高度。

主权项：1.一种集成电路，包括：一个或多个半导体区域，所述一个或多个半导体区域在对应的源极区域和漏极区域之间在第一方向上延伸；栅极结构，所述栅极结构在所述一个或多个半导体区域之上在第二方向上延伸；第一栅极切口，所述第一栅极切口包括第一电介质材料并在第三方向上延伸穿过所述栅极结构的整个厚度；以及第二栅极切口，所述第二栅极切口包括第二电介质材料并在所述第三方向上延伸穿过所述栅极结构的所述整个厚度，其中，在所述第二栅极切口的顶部的宽度是在所述第一栅极切口的顶部的宽度的至少两倍大，并且其中，所述第一栅极切口和所述第二栅极切口各自具有在所述第三方向上相差不超过10nm的高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 将多遍工序用于深度控制来形成金属栅极切口

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD