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【发明公布】一种含有三咔唑结构的化合物及有机电致发光器件_南京高光半导体材料有限公司_202311621881.4 

申请/专利权人:南京高光半导体材料有限公司

申请日:2023-11-30

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117800897A

主分类号:C07D209/88

分类号:C07D209/88;C09K11/06;H10K85/60;H10K50/11

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.02#公开

摘要:本发明设计了一种含有三咔唑结构的化合物及有机电致发光器件。其中化合物结构式如式1所示,化合物中咔唑部分氢被氘代后,该类材料具有以下的优势:其一,化合物被氘代以后的化合物具有更好的热稳定性,进而提高器件的寿命;其二,经过器件验证化合物部分位点的氢被氘取代后的化合物相比较其他同类化合物具有更好的寿命和更低的成本。其三,氘代后的GH材料与具有氘代的GD材料具有更好的相溶解性,更有益于能量的传递,进而提高器件的制备良率、稳定性、效率和寿命。

主权项:1.一种含有三咔唑结构的化合物,其特征在于,其结构式如下式1所示: A1-A10分别独立的选自氢、氘或者氘代或未氘代的下述基团:C1-C10的烷基、C3-C10的环烷基、C6-C18的芳基或C5-C24杂芳基中的一种或多种;R1-R3各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的C6-30芳香基、经取代或未经取代的C5-30杂芳基,所述取代基选自氘、卤素或C6-20芳香基或C5-C24杂芳基中的一种或多种;当R2选自相同取代基且为氘时,n为1-6的整数;当R2选自不同取代基时,n为1-7的整数;m、p为0-7的整数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京高光半导体材料有限公司 一种含有三咔唑结构的化合物及有机电致发光器件

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