申请/专利权人：鸿扬半导体股份有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810247A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/41;H01L29/78;H01L29/872;H01L27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：半导体装置包含基板、磊晶层、第一阱、源极区、源极触点、基极区与第二阱。磊晶层在基板上。第一阱在磊晶层中。源极区在第一阱中，基板、磊晶层与源极区为具有第一半导体型的多个掺杂物。源极触点贯穿第一阱的底部与源极区的底部，且源极触点的底部低于第一阱的底部。基极区包覆源极触点的侧壁。第二阱包覆基极区，第一阱、基极区与第二阱为具有第二半导体型的多个掺杂物，第二半导体型不同于第一半导体型且基极区的掺杂浓度高于第一阱的掺杂浓度与第二阱的掺杂浓度。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：基板；磊晶层，在该基板上；第一阱，在该磊晶层中；源极区，在该第一阱中，该基板、该磊晶层与该源极区包含具有第一半导体型的多个掺杂物；源极触点，该源极触点的底部低于该第一阱的该底部；基极区，包覆该源极触点的侧壁；以及第二阱，包覆该基极区，该第一阱、该基极区与该第二阱为包含具有第二半导体型的多个掺杂物，该第二半导体型不同于该第一半导体型且该基极区的掺杂浓度高于该第一阱的掺杂浓度与该第二阱的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 鸿扬半导体股份有限公司 半导体装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD