申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810083A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请提供一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的衬底进行掺杂，分别在所述衬底内形成轻掺杂区和重掺杂区；在所述衬底表面以及所述栅极结构的侧壁和顶面形成阻挡层；刻蚀去除所述阻挡层的一部分，暴露出部分栅极结构顶面以及远离所述栅极结构的重掺杂区和轻掺杂区的部分表面；在暴露出的部分栅极结构顶面以及重掺杂区和轻掺杂区的部分表面形成金属硅化物层，所述金属硅化物的表面与所述阻挡层的表面平齐。所述方法显著改善了器件的漏电流。

主权项：1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；对所述栅极结构两侧的衬底进行掺杂，分别在所述衬底内形成轻掺杂区和重掺杂区；在所述衬底表面以及所述栅极结构的侧壁和顶面形成阻挡层；刻蚀去除所述阻挡层的一部分，暴露出部分栅极结构顶面以及远离所述栅极结构的重掺杂区和轻掺杂区的部分表面；在暴露出的部分栅极结构顶面以及重掺杂区和轻掺杂区的部分表面形成金属硅化物层，所述金属硅化物的表面与所述阻挡层的表面平齐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 MOS晶体管及其形成方法

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