申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802530A

主分类号：C25B11/095

分类号：C25B11/095;C25B11/059;C25B1/04;C25B1/55

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种基于InGaNCoNi‑MOF异质结光电极及其制备方法与应用；该异质结构包括Si衬底、生长在Si衬底上的InGaN纳米柱、以及负载在InGaN纳米柱表面的CoNi‑MOF。本发明所制备的InGaNCoNi‑MOF异质结光电极，MOF结构可以有效增加催化活性位点，提高InGaN纳米柱光生载流子的输运特性，从而显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时，本发明所提出的刻蚀转移法可以解决MOF在纳米柱上生长调控困难的问题，为MOF在其他衬底上的制备提供新的思路。本发明公开的基于InGaNCoNi‑MOF异质结光电极材料具有较多的催化位点，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。

主权项：1.一种InGaNCoNi-MOF异质结光电极材料，其特征在于：包括Si衬底；所述Si衬底上设置有InGaN纳米柱层，所述InGaN纳米柱层表面设置有MOF结构；MOF结构为CoNi-均三甲苯有机催化框架。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种InGaN/CoNi-MOF异质结光电极及其制备方法与应用

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