申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117801953A

主分类号：C12M3/00

分类号：C12M3/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开提出了一种细胞培养衬底的制备方法，包括：首先通过光刻工艺，在衬底上形成垂直于衬底表面向内的通道；然后通过电化学腐蚀工艺，在所述通道的侧壁上，沿平行于衬底方向形成与所述通道交叉连通的三维孔道，得到细胞培养衬底。在本公开的另一方面，还提出了如前述方法制备得到的细胞培养衬底以及应用。

主权项：1.一种细胞培养衬底的制备方法，包括：通过光刻工艺，在衬底上形成垂直于衬底表面向内的通道；通过电化学腐蚀工艺，在所述通道的侧壁上，沿平行于衬底方向形成与所述通道交叉连通的三维孔道，得到细胞培养衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 细胞培养衬底及其制备方法、应用

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