申请/专利权人：深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院);香港科技大学深港协同创新研究院(深圳福田);深圳市优威芯电子科技有限公司

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810098A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L23/488

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种铜‑铜凸点常温键合方法及键合结构，所述键合方法包括步骤：将铜凸点表面进行去氧化处理；通过微液滴打印在去氧化处理后的铜凸点表面放置化学金属镀液；将需要键合的基板或芯片上的焊盘或凸点位置对准上述处理后的铜凸点，通过化学金属镀液的氧化还原反应，使得金属离子在待键合的凸点‑凸点或凸点‑焊盘之间沉积生长，实现键合。该方案基于铜的液相沉积原理，采用微液滴打印技术实现微液滴于铜凸点上的精准定点附着，然后利用金属化学镀液的氧化还原反应，实现金属粒子在待键合的凸点‑凸点或凸点‑焊盘之间沉积生长，可常温实现键合，且键合紧密，键合后的剪切强度达到1MPa及以上。

主权项：1.一种铜-铜凸点常温键合方法，其特征在于，包括步骤：将铜凸点表面进行去氧化处理；通过微液滴打印在去氧化处理后的铜凸点表面放置化学金属镀液；将需要键合的基板或芯片上的焊盘或凸点位置对准上述处理后的铜凸点，通过化学金属镀液的氧化还原反应，使得金属离子在待键合的凸点-凸点或凸点-焊盘之间沉积生长，实现键合。

全文数据：

权利要求：

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