申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810327A

主分类号：H01L33/12

分类号：H01L33/12;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，外延片包括衬底，还包括在所述衬底上依次层叠设置的复合缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层，其中，所述复合缓冲层包括生长于所述衬底上的SiC层、石墨烯层和三维AlInGaN成核层。实施本发明，能够降低外延层位错密度，释放衬底与GaN外延层的应力，提高GaN外延层晶体质量，进而提高发光二极管发光效率。

主权项：1.一种发光二极管的外延片，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠设置的复合缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层，其中，所述复合缓冲层包括生长于所述衬底上的SiC层、石墨烯层和三维AlInGaN成核层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法

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